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STD2NM60T4 发布时间 时间:2025/5/13 17:16:07 查看 阅读:3

STD2NM60T4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沃特功率晶体管(NPN 型)。该器件主要用于高电压应用场合,例如开关电源、电机控制和逆变器等。它采用 TO-247 封装形式,具有低饱和压降和高电流处理能力的特性。
  STD2NM60T4 的设计使其能够承受高达 600V 的集电极-发射极击穿电压,并且可以处理高达 15A 的连续集电极电流(在 25°C 条件下)。其卓越的热性能和电气特性使它成为许多工业应用的理想选择。

参数

集电极-发射极击穿电压:600V
  连续集电极电流:15A
  集电极-基极击穿电压:650V
  发射极-基极击穿电压:7V
  功耗:300W
  存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

STD2NM60T4 具有以下主要特性:
  1. 高电压耐受能力:可承受高达 600V 的电压,适合高压应用场景。
  2. 大电流处理能力:支持最高 15A 的连续电流,适用于大功率设备。
  3. 快速开关性能:较低的开启时间和关闭时间,有助于提高效率。
  4. 良好的热稳定性:能够在高温环境下可靠运行,适应恶劣的工作条件。
  5. 稳定性与可靠性:具备出色的长期稳定性和抗干扰能力,确保系统的可靠运行。
  6. 低饱和压降:在高电流条件下表现出较低的导通损耗,从而提升系统效率。

应用

STD2NM60T4 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):
   - 在 AC/DC 或 DC/DC 转换电路中作为开关元件。
  2. 电机控制:
   - 用于驱动直流电机或步进电机。
  3. 工业逆变器:
   - 在光伏逆变器或其他电力转换设备中使用。
  4. 电磁阀驱动:
   - 控制电磁阀的开关动作。
  5. 继电器替代:
   - 在需要快速响应的应用中代替传统继电器。

替代型号

STD2NM50T4, STD2NM65T4

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STD2NM60T4参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.2 欧姆 @ 1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds160pF @ 25V
  • 功率 - 最大46W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)