TMK105B7104KVHF 是一种高可靠性、大功率的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要用于高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,适用于需要高效能量转换和快速开关速度的场景。
该型号专为高压高频环境设计,能够有效减少开关损耗并提高系统效率,广泛应用于工业电源、电机驱动、通信设备以及新能源领域等对性能要求较高的场合。
类型:MOSFET
封装:TO-247
最大漏源电压:1050V
最大连续漏电流:7.1A
最大脉冲漏电流:85A
栅极电荷:60nC
导通电阻:0.8Ω
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
热阻(结到壳):1.3°C/W
TMK105B7104KVHF 的主要特性包括以下几点:
1. 高击穿电压:其额定电压高达 1050V,能够在极端条件下保持稳定运行。
2. 低导通电阻:在同类产品中,其导通电阻仅为 0.8Ω,有助于降低传导损耗。
3. 快速开关能力:由于采用了优化的芯片结构,该器件具备较低的栅极电荷和输出电容,从而实现更快的开关速度。
4. 热稳定性:即使在高温环境下,也能维持优异的电气性能。
5. 抗雪崩能力:经过严格测试,确保在过载情况下不会轻易损坏。
6. 高频应用兼容性:非常适合用于高频逆变器、开关电源和其他高频电路设计。
TMK105B7104KVHF 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):例如 AC/DC 转换器、DC/DC 转换器等。
2. 工业控制:如伺服驱动器、变频器及电机控制器。
3. 新能源技术:太阳能逆变器、风能转换系统。
4. 通信基础设施:基站电源、信号放大器等。
5. 汽车电子:电动车充电系统、车载逆变器。
其高频和高电压特性使其成为上述应用的理想选择。
TMK105B705KVHF, IRFP460, STGW10DM2H