时间：2025/6/17 16:57:24
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MTV018N-04 是一款基于垂直功率 MOSFET 技术的 N 沟道场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
MTV018N-04 的封装形式通常为小型表面贴装封装，如 DPAK 或 TO-252，这使其能够在紧凑的设计中提供卓越的性能。此外，其出色的热特性和电气特性确保了在高电流和高频操作下的可靠性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：18A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：36nC
开关时间：典型值 12ns（tr），20ns（tf）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强器件的鲁棒性，适合严苛环境应用。
3. 快速开关特性，支持高频操作，减少磁性元件体积并优化设计。
4. 热增强型封装，提升散热性能以适应高功率场景。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代电子产品的要求。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. DC-DC 转换器的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, FDP18N04L, STP18NF04
