PDTA113ZT 时间：2025/9/15 1:14:18 阅读：14

PDTA113ZT 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 NPN 型晶体管，常用于数字电路和开关应用中。该晶体管采用 SOT-23 封装，具有较高的可靠性和稳定性，适用于广泛的电子设备和工业控制系统。PDTA113ZT 以其优异的性能和小巧的封装设计，成为许多电子设计工程师的首选器件。

参数

晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作条件）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　集电极-基极电压（VCB）：50V
　　发射极-基极电压（VEB）：5V

特性

PDTA113ZT 晶体管具有多种优异特性，使其在电子电路设计中表现出色。首先，其高电流增益（hFE）范围为 110 至 800，确保在不同工作条件下都能提供稳定的放大性能。这使得该晶体管适用于各种开关和放大电路。
　　其次，PDTA113ZT 的最大集电极-发射极电压为 50V，最大集电极电流为 100mA，使其能够承受较高的电压和电流负载，适用于电源管理和负载开关应用。
　　此外，该晶体管的过渡频率（fT）为 100MHz，表明其具有良好的高频响应能力，适合用于高频信号处理和数字电路。
　　PDTA113ZT 采用 SOT-23 小型封装，节省电路板空间，同时具有良好的热性能，适合高密度电路设计。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保在极端环境下仍能稳定运行，适用于工业和汽车电子等苛刻环境。
　　最后，该晶体管的最大功耗为 300mW，能够在不使用散热片的情况下有效工作，提高了电路的可靠性和耐用性。

应用

PDTA113ZT 晶体管广泛应用于多个领域。在数字电路中，它常用于逻辑门电路、缓冲器和驱动电路，以实现信号的高效传输和处理。在模拟电路中，它可用于放大电路，提高信号的幅度和稳定性。
　　此外，该晶体管在电源管理系统中也发挥重要作用，例如用于 DC-DC 转换器、稳压电路和负载开关控制。其高电压和电流承受能力使其成为电源管理的理想选择。
　　由于其良好的高频响应特性，PDTA113ZT 也常用于射频（RF）电路和高频信号处理应用。在通信设备和无线模块中，它可以用于信号放大和调制解调电路。
　　在工业自动化和控制系统中，该晶体管可用于传感器接口电路、继电器驱动和电机控制。其宽工作温度范围使其适合在恶劣环境中使用，如工业机械、汽车电子和户外设备。