类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-6A（@VGS= -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：38mΩ（@VGS= -4.5V）
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：DFN10

MTSF2P02HDR2G是一款高性能的双P沟道MOSFET，其主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优良的热性能。该器件采用双MOSFET结构，允许在同一封装中集成两个独立的P沟道MOSFET，从而减少了PCB布局的面积并提高了系统集成度。其低RDS(on)特性可有效降低导通损耗，提高电源效率。此外，该器件支持较高的栅极电压（±12V），提供了良好的栅极控制能力和稳定性。MTSF2P02HDR2G的封装采用DFN10形式，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。该MOSFET在过载和短路条件下也表现出色，具备较高的耐用性和可靠性。此外，其工作温度范围宽，可在-55°C至150°C之间稳定工作，适用于各种工业和汽车电子环境。
　　MTSF2P02HDR2G的设计使其非常适合用于负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统和电机控制等应用。由于其双MOSFET结构，它也可用于需要并联操作的电路中，以提高整体电流承载能力。此外，该器件的高可靠性和小型化封装使其成为便携式设备和高密度电源系统的理想选择。安森美半导体还为该器件提供了详细的数据手册和技术支持，确保工程师能够快速完成设计和调试。

MTSF2P02HDR2G广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统、DC-DC转换器、电池供电设备、负载开关、电机控制、工业自动化设备、汽车电子系统（如车载充电器和车身控制模块）以及消费类电子产品。

Si7153DP-T1-GE3, TPC8104-H, FDMS3618, AO4486