时间：2025/12/25 11:53:41
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QSX8TR是一款由ONSEMI（安森美）生产的表面贴装N沟道MOSFET，采用先进的Trench沟道技术制造，专为高效率和高性能的电源管理应用而设计。该器件封装在紧凑的PowerSOT-8（也称DFN2020-8L）封装中，具有低导通电阻、优异的热性能和较小的占位面积，适用于对空间敏感且要求高效能的应用场景。QSX8TR的主要优势在于其优化的栅极电荷和低漏源导通电阻（RDS(on)），使其能够在开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中实现更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子产品的需求。器件经过严格测试，具备良好的可靠性和稳定性，在工业控制、消费电子、便携式设备和电信电源等领域有广泛应用前景。
型号：QSX8TR
制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
产品类型：MOSFET
通道类型：N-Channel
漏源电压VDS：30 V
栅源电压VGS：±20 V
连续漏极电流ID：19 A
脉冲漏极电流IDM：76 A
导通电阻RDS(on)：4.7 mΩ @ VGS=10 V, ID=9.5 A
导通电阻RDS(on)：6.0 mΩ @ VGS=4.5 V, ID=9.5 A
栅极电荷Qg：14 nC @ VGS=10 V
输入电容Ciss：870 pF @ VDS=15 V
开启延迟时间td(on)：8 ns
关断延迟时间td(off)：18 ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装/外壳：PowerSOT-8 (DFN2020-8L)
QSX8TR采用安森美先进的TrenchMOS技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，从而显著提升了功率转换效率。其超低的RDS(on)值在同类产品中处于领先水平，特别是在VGS=4.5V条件下仍能保持6.0mΩ的低阻表现，这意味着即使在低电压驱动环境下也能有效减少功率损耗，特别适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场合。该器件的栅极电荷（Qg）仅为14nC，配合较低的输入电容（Ciss=870pF），大幅降低了驱动电路所需的能量，有助于提高高频开关应用中的整体能效。此外，快速的开关响应时间——开启延迟约8ns，关断延迟约18ns，使其非常适合用于高频DC-DC变换器和同步整流拓扑结构中。
PowerSOT-8封装不仅体积小巧（仅2.0mm×2.0mm），还具备出色的散热能力，通过底部裸露焊盘可将热量高效传导至PCB，提升功率密度的同时保证了长期工作的可靠性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛环境下的运行需求。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的电路设计。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，并支持回流焊工艺，满足现代自动化生产流程的标准。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和稳健的栅氧化层设计，增强了在瞬态过压或负载突变情况下的耐用性。这些综合特性使QSX8TR成为高性能电源管理系统的理想选择，尤其适合追求小型化与高效率并重的设计方案。
QSX8TR广泛应用于各类高效率电源管理系统中，包括但不限于同步降压型DC-DC转换器、POL（点负载）电源模块、笔记本电脑及平板电脑的电源管理单元、电池供电设备中的负载开关与热插拔控制、服务器与通信设备的板级电源调节、LED背光驱动电路以及电机驱动中的H桥低端开关等。其小尺寸封装特别适合空间受限的便携式电子产品，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端。同时，由于其优异的热性能和电流处理能力，也可用于工业控制系统的电源隔离与功率分配模块中。在多相供电架构中，多个QSX8TR并联使用可进一步降低总导通电阻，提升系统效率与散热均匀性。此外，该器件还可作为ORing二极管替代方案，用于冗余电源系统中以减少压降和发热。其高频开关能力也使其适用于无线充电发射端的功率驱动电路以及USB PD快充适配器中的次级同步整流环节。总之，凡是对效率、尺寸和热性能有较高要求的低压大电流开关应用，都是QSX8TR的理想应用场景。
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