MTP2N50E是一种N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下提供高效的性能表现。
这种MOSFET的封装形式通常为TO-220,能够承受较高的电压,并且具备良好的散热性能,使其成为工业和消费电子领域中广泛应用的理想选择。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:4.3A
栅极电荷:45nC
导通电阻:1.9Ω
总功耗:75W
工作温度范围:-55℃ to +150℃
MTP2N50E的主要特性包括:
1. 高击穿电压,可达到500V,适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻,在4.3A的额定电流下仅为1.9Ω,从而减少了导通损耗。
3. 快速开关能力,具有较低的栅极电荷(45nC),可以有效降低开关损耗。
4. 高可靠性设计,确保在恶劣环境下长时间稳定运行。
5. TO-220标准封装,便于安装并提供优良的散热性能。
MTP2N50E广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电磁阀驱动
5. 负载切换和保护电路
6. 工业自动化设备中的功率控制
由于其高电压承受能力和快速开关特性,该器件特别适合于需要高频工作的功率转换和控制场景。
MTP2N50,
IRF540N,
STP50NF06,
FQP50N06L