时间:2025/11/8 7:44:45
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UMB4N是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的超快恢复整流二极管,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统中。该器件采用先进的平面硅技术制造,具有优良的开关特性和低正向电压降,能够在高频工作条件下保持较高的效率。UMB4N的主要特点是其快速的反向恢复时间,这使得它在开关电源、DC-DC转换器以及逆变器等应用中表现出色。此外,该二极管具备良好的热稳定性和较高的峰值重复反向电压能力,适用于多种工业级环境下的电力电子设备。
UMB4N封装形式为SMA(DO-214AC),属于表面贴装型封装,便于自动化生产装配,并有助于提高PCB布局的紧凑性。这种封装还提供了较好的散热性能,在有限的空间内实现高效的热量散发。器件符合RoHS环保标准,无铅且对环境友好,适合现代绿色电子产品设计需求。由于其优异的电气特性与可靠的机械结构,UMB4N被广泛用于消费类电子产品、通信设备、家用电器及工业控制系统中的整流与续流电路中。
类型:超快恢复二极管
配置:单个
反向重复峰值电压(VRRM):400V
直流阻断电压(VR):400V
平均整流电流(IO):1A
正向压降(VF):典型值1.3V(在1A时)
最大反向漏电流(IR):5μA(最大值,25°C)
反向恢复时间(trr):典型值50ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
封装/外壳:SMA(DO-214AC)
UMB4N的核心优势在于其超快的反向恢复时间(trr),典型值仅为50纳秒,这一特性使其非常适合高频开关电源应用。在现代开关模式电源(SMPS)中,随着开关频率不断提高以减小磁性元件体积并提升功率密度,传统整流二极管因较长的反向恢复时间会导致显著的开关损耗和电磁干扰问题。而UMB4N通过优化PN结结构和载流子寿命控制技术,大幅缩短了反向恢复过程,从而有效降低了开关瞬态期间的能量损耗,提高了整体转换效率。同时,快速恢复特性也有助于减少电压尖峰和振铃现象,改善系统的EMI表现,降低对外部滤波电路的要求。
该器件的正向导通压降(VF)在1A电流下典型值为1.3V,虽然略高于肖特基二极管,但相较于普通快恢复二极管已属较低水平。较低的VF意味着更小的导通损耗,尤其是在连续导通模式下,有助于提升能效并减少发热。结合其1A的平均整流电流能力,UMB4N可在中小功率电源适配器、LED驱动电源、充电器等产品中稳定运行。其400V的反向耐压能力足以应对大多数离线式电源输入场景,包括宽范围交流输入(85–265VAC)经整流后的高压直流母线应用。
从可靠性角度看,UMB4N的工作结温可达+150°C,表明其具备出色的热稳定性,可在高温环境下长期工作而不发生性能退化。器件采用SMA表面贴装封装,不仅节省空间,而且可通过PCB铜箔进行有效散热,增强热管理能力。此外,该器件通过AEC-Q101认证的可能性较高(需查证具体批次),适用于汽车电子等对可靠性要求严苛的应用领域。整体而言,UMB4N是一款兼顾速度、效率与可靠性的通用型超快恢复二极管,是替代传统FR系列二极管的理想选择。
UMB4N常用于各类开关电源电路中作为输出整流或续流二极管使用,尤其适用于反激式(Flyback)、正激式(Forward)和半桥拓扑结构的AC-DC转换器中。在这些拓扑中,二极管需要在高频下反复承受反向电压冲击并迅速截止,因此要求具备快速的反向恢复能力和较低的开关损耗。UMB4N凭借其50ns的trr特性,能够满足此类需求,广泛应用于手机充电器、笔记本电脑适配器、路由器电源模块等消费类电子产品中。
此外,该器件也常见于DC-DC变换器中作为续流或箝位二极管,例如在BUCK、BOOST或SEPIC电路中,用于在开关关断期间提供电感电流回路路径,防止电压突升损坏MOSFET。在这种应用场景下,快速恢复特性可有效抑制反向电流持续时间,提升系统效率。
在工业控制和自动化设备中,UMB4N可用于继电器驱动电路或电机驱动H桥中的续流保护,吸收感性负载断开时产生的反电动势,保护主控开关器件。同时,其较高的反向耐压和良好的热稳定性使其适用于工业电源模块、UPS不间断电源、照明镇流器及太阳能微逆变器等场合。
在家用电器如空调、洗衣机、电磁炉的内部控制电源中,UMB4N也可作为辅助电源的整流元件,确保控制电路获得稳定的低压直流供电。由于其符合RoHS标准,适用于出口型绿色环保产品设计。总体来看,UMB4N是一款通用性强、适用范围广的超快恢复二极管,适用于多种需要高效整流与快速响应的电力电子系统。
MUR140, HER107, 1N4937, UF4007