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MTP2955V 发布时间 时间:2025/5/29 17:12:47 查看 阅读:8

MTP2955V是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效率和低功耗的场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备较低的导通电阻和较高的开关速度,使其非常适合用于电源管理、电机驱动以及DC-DC转换等应用。
  其封装形式通常为TO-220或TO-252,能够承受较高的电流和电压,同时具有良好的热性能,确保在严苛环境下的稳定运行。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻:3.5mΩ
  总栅极电荷:37nC
  功耗:180W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

MTP2955V的主要特性包括以下几点:
  1. 超低导通电阻,可有效减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频开关应用,降低开关损耗。
  3. 较高的雪崩击穿能力和抗静电能力,增强了器件的可靠性。
  4. 支持大电流输出,适用于工业级负载切换和电源转换。
  5. 热稳定性强,能够在极端温度条件下保持性能。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子设备的绿色要求。

应用

MTP2955V主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电机控制和驱动电路,如步进电机和直流无刷电机。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 汽车电子中的继电器替代和电池管理。
  5. LED驱动器和逆变器中的功率级元件。
  6. DC-DC转换器和AC-DC适配器的核心组件。

替代型号

IRF2907ZPBF, FDP55N06L, STP55NF06L

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MTP2955V参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C230 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds770pF @ 25V
  • 功率 - 最大60W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称MTP2955VOS