时间：2025/9/2 4:42:08
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HY57V641620ELTP-H 是现代（Hyundai）生产的一款高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于EDO DRAM类型。该芯片的存储容量为64Mbit，组织形式为16M x 4位或4M x 16位，适用于需要高速数据存取的电子系统，如嵌入式系统、工业控制设备、通信设备等。该封装为TSOP（Thin Small Outline Package），适合高密度PCB布局。
容量：64Mbit
组织结构：4M x 16位或16M x 4位
封装类型：TSOP
电压：3.3V
访问时间：5.4ns（典型值）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据输出类型：EDO（Extended Data Out）
时钟频率：最大可达166MHz
封装尺寸：54引脚
HY57V641620ELTP-H 是一款高性能的EDO DRAM芯片，具备高速访问能力，访问时间低至5.4ns，使其适用于对性能要求较高的应用场景。该芯片采用3.3V供电，降低了功耗并提高了系统的稳定性。其TSOP封装形式不仅节省空间，而且具有良好的热性能和电气性能，适合用于紧凑型电子设备。此外，该芯片的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），可在各种严苛环境下稳定运行。
HY57V641620ELTP-H 的存储组织方式支持灵活的配置，可以选择为16M x 4位或4M x 16位模式，满足不同系统的设计需求。其EDO技术提高了数据传输效率，通过延长数据输出时间，减少了读取周期之间的等待时间，从而提升了整体系统性能。该芯片广泛应用于需要大容量存储和高速数据处理的设备，如网络设备、图像处理模块、嵌入式控制器等。
HY57V641620ELTP-H 主要用于需要大容量高速存储的嵌入式系统和工业控制设备。例如，在通信设备中用于缓存数据和临时存储程序；在图像处理系统中用于高速图形缓存；在工业自动化设备中用于运行实时控制算法和数据缓冲。此外，它也适用于便携式电子产品、医疗设备和测试仪器等场景。
IS61LV256AL-10B4I-QS，CY7C1041CV33-10ZSXC，A66C1K16D3B4N-GK
