时间：2025/12/25 13:03:13
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RB521VM-40FHTE-17是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）生产的表面贴装型肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、整流电路以及反向电压保护等应用。该器件采用小型化SOD-123FL封装，具有低正向电压降和快速恢复特性，适用于对效率和空间要求较高的便携式电子设备和高密度电路板设计。其额定平均正向整流电流为200mA，最大重复峰值反向电压为40V，适合低压直流系统中的整流与续流功能。此外，该产品符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对绿色环保材料的要求。器件的结温范围可达-55°C至+150°C，确保在宽温度环境下稳定工作。得益于其优异的热性能和电学特性，RB521VM-40FHTE-17广泛应用于智能手机、平板电脑、物联网终端、无线模块及各类消费类电子电源管理单元中。
型号：RB521VM-40FHTE-17
制造商：Renesas Electronics
封装类型：SOD-123FL
二极管配置：单个
最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
最大直流阻断电压（VR）：40V
平均整流电流（Io）：200mA
峰值正向浪涌电流（IFSM）：500mA（8.3ms半正弦波）
最大正向电压降（VF）：520mV @ 200mA, 25°C
最大反向漏电流（IR）：50nA @ 40V, 25°C；1μA @ 40V, 125°C
典型结电容（Cj）：20pF @ 4V
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
热阻抗（RθJA）：450°C/W（典型值，PCB安装）
安装方式：表面贴装（SMD）
RB521VM-40FHTE-17具备出色的电学性能和可靠性，其核心优势在于采用了先进的肖特基势垒结构，显著降低了正向导通压降，从而减少功率损耗并提升整体系统效率。在200mA的工作电流下，其最大正向电压仅为520mV，相较于传统PN结二极管可降低约30%的能量消耗，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。该器件的反向恢复时间极短，几乎无反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关操作中能有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高电源系统的稳定性与安全性。
该二极管采用SOD-123FL超小型封装，尺寸仅为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm，节省PCB布局空间，便于实现高密度集成设计。其封装材料具有良好的热传导性和机械强度，能够在高温环境中保持稳定的电气性能。产品通过AEC-Q101车规级认证，表明其在极端温度循环、湿度、振动等严苛条件下仍能可靠运行，适用于汽车电子中的辅助电源模块或传感器供电电路。
RB521VM-40FHTE-17还具备优异的反向漏电流控制能力，在常温下仅为50nA，即使在125°C高温环境下也仅上升至1μA，确保在待机或低功耗模式下不会因漏电造成额外能耗。其典型的结电容为20pF，适合用于高频信号路径中的隔离与保护。此外，器件内部金线连接工艺成熟，结合无铅回流焊兼容性，支持自动化高速贴片生产，提升了制造良率和一致性。整体设计兼顾高性能、小型化与环境适应性，是现代高效电源管理方案中的理想选择。
RB521VM-40FHTE-17广泛应用于多种低电压、小电流的电力与信号处理场景。常见用途包括便携式消费电子产品中的DC-DC转换器输出整流、锂电池充电管理电路中的防反接保护、USB接口的瞬态电压抑制与极性保护、以及各类微控制器单元（MCU）供电路径的隔离与续流。由于其快速响应特性，该器件也常被用于高频开关电源（如反激式、降压式拓扑）中作为次级侧整流元件，替代传统的快恢复二极管以提高转换效率。
在通信设备领域，该二极管可用于射频模块的偏置电路或天线切换路径中的信号导向，利用其低电容和快速开关能力减少信号失真。此外，在工业控制与智能家居系统中，它可作为传感器模块的电源保护器件，防止因接线错误或电源反接导致的损坏。汽车电子方面，尽管其电流容量较小，但仍可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的辅助电源轨或LED照明驱动电路中，提供可靠的电压箝位与反向保护功能。
由于符合无卤素与RoHS指令，RB521VM-40FHTE-17也适用于对环保要求严格的出口型电子产品。其高可靠性与宽温工作能力使其在户外监控设备、智能仪表、无线传感网络节点等长期无人值守的应用中表现出色。总体而言，该器件凭借其小型化、高效能和高可靠性的特点，成为众多中低端功率电子系统中不可或缺的基础元器件之一。
RB521S-40T1G
RB521V-40TFKE-17
