类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：400V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：4.4A
　　最大功耗(Pd)：40W
　　导通电阻(Rds(on))：1.5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

M4N35具有多个优良的电气和物理特性，使其适用于多种高功率应用。
　　首先，该器件的高漏源电压额定值（400V）使其适用于中高压应用，例如开关电源和逆变器电路。
　　其次，M4N35的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，从而提高系统效率。此外，较低的Rds(on)还减少了工作时的发热，提高了稳定性。
　　再次，M4N35具有较高的栅源电压耐受能力（±30V），这使得其在使用中对驱动电路的容错能力更强，降低了因栅极电压异常导致损坏的风险。
　　该MOSFET的封装形式为TO-220，这种封装具有良好的散热性能，便于安装在散热片上，以适应较高功耗的工作环境。
　　此外，M4N35具备较快的开关特性，适用于高频开关电路，从而减小了外围元件的尺寸，提高了整体系统的功率密度。
　　在可靠性方面，M4N35的制造工艺符合工业级标准，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C ~ +150°C），适用于各种严苛的环境条件。

M4N35主要应用于各种需要高压、高效率开关控制的电子系统中。
　　在电源管理领域，M4N35广泛用于AC-DC开关电源、DC-DC转换器以及LED驱动电路中，作为主开关元件，实现高效的能量转换。
　　在电机控制方面，该器件可用于H桥驱动电路，控制直流电机或步进电机的方向和速度，尤其适用于家用电器和小型自动化设备。
　　另外，M4N35也常见于逆变器设计，例如在不间断电源（UPS）或太阳能逆变器中，用于将直流电转换为交流电输出。
　　由于其良好的开关特性和耐压能力，M4N35也适用于充电器、电池管理系统（BMS）以及智能电表等应用。
　　此外，在工业控制系统中，M4N35可用于继电器替代电路、负载开关控制以及各种高电压开关应用，提供可靠的功率控制能力。

IRF740, 2N6755, BUZ71, FQP4N40