时间：2025/6/21 18:30:58
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MTP20N20E是一种N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电路设计中。它采用先进的半导体制造工艺，提供低导通电阻和快速开关性能，适用于多种工业和消费电子领域。该器件具有良好的热稳定性和耐受高压的能力，能够满足不同负载条件下的应用需求。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：20A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：ton=45ns, toff=85ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
MTP20N20E具备以下主要特性：
1. 高电压承受能力，支持高达200V的漏源电压。
2. 低导通电阻，减少能量损耗并提升效率。
3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
4. 良好的热稳定性，确保在极端温度条件下的可靠性。
5. 小型封装选项，节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
这些特性使MTP20N20E成为电力转换、电机控制和其他大功率应用的理想选择。
MTP20N20E被广泛用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）
2. 逆变器和UPS系统
3. 电动工具驱动
4. 汽车电子
5. 工业自动化控制
6. LED照明驱动
7. 变频器
MTP20N20E的高效率和可靠性使其成为上述应用中的关键组件。
MTP20N20,
IRF20N20,
FDP20N20
