时间：2025/7/10 23:37:19
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ZGC025TD30K825是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低能耗并提升系统效率。
该型号属于增强型N沟道MOSFET，适用于中高电压场景下的功率转换与控制。其卓越的热性能和电气特性使其成为众多工业及消费类电子产品中的理想选择。
最大漏源电压：825V
持续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：25mΩ
栅极电荷：120nC
开关时间：开通时间15ns，关断时间35ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
ZGC025TD30K825具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：支持高达825V的工作电压，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：在大电流条件下，其25mΩ的导通电阻能够显著减少功率损耗。
3. 快速开关速度：较小的栅极电荷使得器件能够在高频下高效运行。
4. 热稳定性强：宽泛的工作温度范围保证了其在极端条件下的可靠性。
5. 强大的抗雪崩能力：即使在过载或异常情况下也能提供额外保护。
6. 小型化封装：有助于简化PCB设计，节省空间。
这款功率MOSFET适合多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. DC-DC转换器
4. 逆变器
5. 太阳能微逆变器
6. LED照明驱动电路
7. 工业自动化设备中的功率管理模块
由于其高耐压和低损耗特点，ZGC025TD30K825特别适用于需要高效功率转换的场合。
ZGC025TD30K800, ZGC020TD30K825, IRFP460
