QMV734AH5 时间：2025/8/12 22:34:49 阅读：12

QMV734AH5是一款由半导体制造商生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，适用于各种工业控制、电源转换以及电机驱动等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.045Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：130W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

QMV734AH5具有优异的电气性能和稳定性，其主要特点包括低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率；高耐压设计（100V Vds）确保其适用于多种中高压应用场景；器件的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合在高功率密度设计中使用；此外，该MOSFET具有较强的抗过载能力和热稳定性，能够在恶劣工作环境下保持可靠运行。
　　在制造工艺方面，QMV734AH5采用了先进的平面技术，确保了器件的稳定性和一致性。其栅极结构设计优化，降低了开关损耗，并提升了器件在高频应用中的性能。同时，该器件的寄生电容较小，有助于提高开关速度，从而进一步优化系统的整体效率。此外，QMV734AH5具备较强的短路耐受能力，能够有效应对突发的电流冲击，增强了系统在异常工况下的安全性。

应用

QMV734AH5广泛应用于各类电力电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动器以及工业自动化控制系统等。由于其具备较高的电流容量和良好的热稳定性，该器件特别适合用于需要高可靠性和高效率的电源转换系统中。在电机控制应用中，QMV734AH5可作为H桥驱动电路中的关键开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。此外，在太阳能逆变器或储能系统中，该MOSFET也可用于功率调节和能量转换环节，提升整体系统的能效表现。