型号：MTN4N60BJ3
　　制造商：ON Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600 V
　　漏极电流（ID）@25°C：4 A
　　漏极电流（ID）@100°C：2 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：16 A
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：1.2 Ω 最大值
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V 典型值：1.05 Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：2 V ~ 4 V
　　输入电容（Ciss）：780 pF @ 25 V
　　输出电容（Coss）：240 pF @ 25 V
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　栅极电荷（Qg）@10V：39 nC
　　功率耗散（PD）：50 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装类型：TO-220F

MTN4N60BJ3采用安森美先进的超级结（Super Junction）MOSFET技术，这项技术通过在P型和N型外延层之间实现精确的电荷平衡，显著提升了器件的电压阻断能力和导通性能。与传统平面或沟槽型MOSFET相比，超级结结构能够在相同芯片面积下实现更高的击穿电压和更低的导通电阻，从而大幅提高功率密度。这种结构有效解决了高压MOSFET中RDS(on)随电压升高而急剧增加的问题，使得MTN4N60BJ3在600V应用中仍能保持较低的导通损耗。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这有助于减少高频开关过程中的驱动损耗和电压振荡，提升电源系统的整体效率。
　　在动态性能方面，MTN4N60BJ3表现出色。其输出电容（Coss）较小，且随电压变化的非线性程度较低，有利于软开关拓扑如LLC谐振变换器中的能量传输控制。同时，较低的反向恢复电荷（Qrr）和快速的体二极管反向恢复时间（trr）减少了与之并联工作的续流二极管或同步整流器件之间的交叉导通风险，降低了电磁干扰（EMI）水平。这一特性对于高频率工作的开关电源尤为重要，可有效避免因体二极管拖尾电流引起的额外功耗。
　　MTN4N60BJ3还具备良好的热稳定性与长期可靠性。其最大结温可达150°C，并支持在高温环境下持续运行。器件经过严格的雪崩测试，具备一定的单脉冲雪崩能量（EAS）承受能力，能够在突发的电压浪涌或负载突变情况下维持安全工作。此外，TO-220F封装提供了优良的散热路径，允许将热量高效传递至外部散热器，进一步增强系统的热管理能力。综合来看，MTN4N60BJ3不仅满足能源之星、CoC Tier 2等能效标准要求，还适用于追求小型化、高效化和高可靠性的现代电源设计需求。

MTN4N60BJ3广泛应用于各类中等功率的开关电源系统中，尤其是在需要高电压和高效率转换的场合表现突出。它常被用作反激式（Flyback）、正激式（Forward）、半桥（Half-Bridge）以及LLC谐振变换器中的主开关器件，适用于宽输入电压范围的AC-DC转换器设计。例如，在笔记本电脑适配器、手机充电器、LCD电视电源模块和LED照明驱动电源中，MTN4N60BJ3凭借其低导通损耗和快速开关特性，能够显著提升能效并降低温升。
　　在工业领域，该器件可用于工业电源、PLC电源模块、电动工具充电系统以及小型逆变器中，提供稳定可靠的直流电压输出。其较高的耐压能力和抗干扰性能使其在电网波动较大的环境中依然保持良好运行状态。此外，MTN4N60BJ3也适用于太阳能微逆变器、UPS不间断电源和电机驱动控制器等对可靠性要求较高的应用场景。
　　在待机功耗敏感的应用中，如智能家居设备电源和IoT网关供电单元，MTN4N60BJ3的低漏电流和高开关效率有助于实现超低待机功耗设计，符合国际节能法规的要求。同时，由于其具备较强的抗雪崩能力和良好的热稳定性，即使在恶劣工况下也能确保长时间无故障运行。因此，无论是消费类电子产品还是工业级设备，MTN4N60BJ3都是一种理想的选择，尤其适合那些追求高集成度、高效率和高可靠性的电源拓扑设计方案。

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　　 "FQP4N60C,STP4N60M2,IPD4N60S,2SK3569"
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