类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：1000V
　　漏极电流（Id）：8A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：通常为1.2Ω（最大）
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247
　　功耗（Pd）：125W

MTH8N100具有多项优良特性，使其适用于高电压和高功率应用。首先，其漏极-源极击穿电压高达1000V，能够适应高压环境，确保在极端电压条件下的稳定运行。其次，MTH8N100的导通电阻较低，通常在1.2Ω左右，这有助于降低导通损耗并提高能效，尤其在高频率开关应用中表现突出。此外，该器件具有较高的栅极-源极耐压（±30V），增强了在复杂电路环境中的可靠性，避免栅极击穿的风险。
　　MTH8N100采用了高功率封装技术（如TO-247），具备良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定的工作温度。其最大功耗可达125W，适用于需要高效能散热的电源系统和工业设备。此外，MTH8N100的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适用于各种严苛的工作环境，包括工业控制、电力电子设备以及高压电源转换系统。
　　在开关性能方面，MTH8N100具备较快的开关速度，能够满足高频开关应用的需求，从而减少开关损耗并提高系统的整体效率。这种特性对于DC-DC转换器、AC-DC电源、马达驱动器和逆变器等应用尤为重要。此外，MTH8N100具备较高的抗雪崩能力，能够承受瞬时的电压冲击，提高系统的鲁棒性和长期运行的可靠性。

MTH8N100广泛应用于各种高电压和高功率电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、高压电机驱动器、工业自动化控制系统以及逆变器设备。在电源管理领域，MTH8N100可用于构建高效率的功率转换电路，提供稳定的电压输出和优异的能效表现。在电机控制和驱动系统中，该MOSFET可实现高效的能量传输和精确的速度控制，适用于变频器、电动工具和工业机器人等设备。
　　此外，MTH8N100还可用于光伏逆变器和储能系统，帮助实现高效的能量转换和管理。在新能源汽车充电系统和智能电网设备中，该器件能够提供高可靠性和稳定性，满足现代电力电子系统对高效率、高耐压和长寿命的需求。MTH8N100的高抗干扰能力和宽温度适应范围，使其在航空航天、军工设备等高要求领域也有广泛的应用前景。

STP8NM100, IRF8N100, FQP8N100