时间：2025/6/14 10:33:40
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CDR31BX152BMZRAT 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的功率MOSFET芯片，基于P沟道技术设计。该器件主要应用于开关电源、负载切换电路、电机驱动以及各种需要高效开关和低导通损耗的场景。它采用小型化封装，适合对空间有严格要求的应用场合，同时具备出色的电气性能和可靠性。
型号：CDR31BX152BMZRAT
类型：P-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大连续漏极电流(Id)：7.6A
栅极阈值电压(Vgs(th))：-1.4V to -2.6V
Rds(on)(典型值，在Vgs=-4.5V时)：15mΩ
封装形式：HSON8
工作温度范围：-55℃ to +175℃
总功耗：2.3W
CDR31BX152BMZRAT 具备以下显著特性：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高效率。
2. 支持高频率开关操作，适用于现代高速电子设备。
3. 极佳的热稳定性和耐热性，能在较宽的温度范围内可靠工作。
4. 高雪崩击穿能力，增强了其在异常情况下的鲁棒性。
5. 小型化的 HSON8 封装节省了 PCB 空间，非常适合紧凑型设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
这款功率MOSFET广泛用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的开关元件。
3. 各类负载开关应用，例如服务器、笔记本电脑和移动设备。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的信号传输与控制。
6. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
7. 电机驱动和功率逆变器模块。
CDR31BX152BMSRCTT, CDR31BX152BMSRCTA
