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AO4296 发布时间 时间:2025/5/30 18:12:16 查看 阅读:12

AO4296是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道MOSFET。该器件采用DFN5*6封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种高效能开关应用。其设计使得AO4296能够在高频开关条件下保持较低的功耗,非常适合用于DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中的功率管理电路。
  AO4296的低导通电阻使其成为需要高效率和小体积解决方案的理想选择。同时,其卓越的热性能确保了在较高电流条件下的稳定工作。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻:1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总栅极电荷:17nC
  输入电容:1460pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AO4296具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低功率损耗。
  2. 快速开关速度,支持高频操作。
  3. 高电流承载能力,适合大功率应用。
  4. 小型DFN5*6封装,节省PCB空间。
  5. 卓越的热性能,提高系统的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全。
  这些特性使AO4296在各类电源管理和功率转换应用中表现出色。

应用

AO4296广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动
  4. 负载开关
  5. 电池保护
  6. 工业控制
  7. 消费类电子产品中的功率管理
  由于其高效的特性和紧凑的设计,AO4296特别适合需要高性能和小型化解决方案的应用场景。

替代型号

AO4295M
  IRLZ44N
  FDP5502

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AO4296参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥5.06019卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.3 毫欧 @ 13.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)60 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3130 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)