时间：2025/7/22 10:58:56
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JCS10N80FC是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等高功率场景。该器件采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻、高耐压能力以及优异的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：800V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：10A（在25℃）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.65Ω
功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
JCS10N80FC的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率；高耐压能力（800V Vds）使其适用于高压电源转换应用；采用TO-252封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计；此外，该器件具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提升整体系统性能。其栅极设计具有较高的抗静电能力，增强了在复杂电磁环境下的稳定性与可靠性。
该MOSFET还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作，减少了散热设计的复杂性。同时，其沟槽式结构优化了载流子分布，进一步提升了导通性能和耐用性。这些特性使JCS10N80FC成为工业电源、家电控制、新能源设备等领域的理想选择。
JCS10N80FC广泛应用于各类电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动电路、LED照明驱动、逆变器以及智能家电控制系统等。其高耐压和低导通电阻的特性特别适合于需要高效率和高稳定性的高压直流应用。此外，该器件也可用于电池管理系统（BMS）、负载开关和功率因数校正（PFC）电路中，为系统提供可靠的功率控制和保护功能。
JCS10N80C, FQP10N80C, STF10N80, IRF840
