时间：2025/6/30 17:18:22
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MA0201XR182J160 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够在高频和大电流条件下稳定工作。
这款器件通常用于 DC-DC 转换器、逆变器、LED 驱动器以及负载开关等应用中，凭借其出色的效率和可靠性，能够满足工业、消费电子及汽车电子领域的需求。
型号：MA0201XR182J160
类型：N沟道 MOSFET
封装形式：TO-252 (DPAK)
额定电压：60V
额定电流：160A
导通电阻：1.8mΩ（典型值）
栅极电荷：45nC（最大值）
连续漏极电流：160A（@Tc=25℃）
功耗：35W（@Tc=25℃）
工作温度范围：-55℃至175℃
MA0201XR182J160 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，能够适应高频应用场景，降低电磁干扰和热量积累。
3. 优秀的热稳定性设计，即使在高温环境下也能保持良好的性能。
4. 内置 ESD 保护功能，增强芯片对静电放电的抵抗能力。
5. 小型化封装，适合紧凑型设计需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该芯片广泛适用于多种应用场合：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器和升降压电路。
3. 汽车电子中的电机驱动和电池管理系统。
4. LED 照明驱动器。
5. 各种负载开关和保护电路。
6. 工业控制设备中的功率转换模块。
MA0201XR182J120, IRFZ44N, FDP5512
