MTH6N85 时间：2025/9/3 16:41:43 阅读：27

MTH6N85是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于需要高效率、高功率密度的电源转换应用。这款器件由多个半导体制造商生产，常见的封装形式包括TO-220、TO-252（DPAK）等，适合不同的安装需求。MTH6N85以其较低的导通电阻、快速的开关特性以及高可靠性而广泛应用于各种电源系统中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6A
　　最大漏源电压（VDS）：850V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值约为1.5Ω（具体值可能因制造商而异）
　　最大功率耗散（PD）：约50W（根据封装不同可能有所变化）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

MTH6N85的主要特性之一是其高耐压能力，最大漏源电压可达到850V，使其适用于高压电源转换应用。
　　此外，该MOSFET具有较低的导通电阻，在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统效率。
　　它还具备快速开关能力，适用于高频开关电路，从而减小外部电感和电容的尺寸，提高整体设计的紧凑性。
　　在可靠性方面，MTH6N85具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较恶劣的工作环境下稳定运行。
　　最后，由于其标准的封装形式，MTH6N85可以方便地集成到各种电路设计中，并支持多种散热方式，适用于不同的应用需求。

应用

MTH6N85主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器以及电机控制电路中，作为功率开关元件使用。
　　此外，它也适用于LED照明驱动、光伏逆变器以及家用电器中的电源模块，提供高效的电能转换解决方案。
　　在工业控制领域，MTH6N85可用于驱动继电器、电磁阀和其他高功率负载，满足复杂的电源管理需求。
　　由于其高耐压特性，该器件也常用于高压电池管理系统和电能质量调节设备中。
　　最后，在消费电子和工业设备中，MTH6N85可以作为负载开关或保护电路的一部分，实现对电路的安全控制。