MTH6N85是一款N沟道增强型功率MOSFET,主要用于需要高效率、高功率密度的电源转换应用。这款器件由多个半导体制造商生产,常见的封装形式包括TO-220、TO-252(DPAK)等,适合不同的安装需求。MTH6N85以其较低的导通电阻、快速的开关特性以及高可靠性而广泛应用于各种电源系统中。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):6A
最大漏源电压(VDS):850V
最大栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):典型值约为1.5Ω(具体值可能因制造商而异)
最大功率耗散(PD):约50W(根据封装不同可能有所变化)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
MTH6N85的主要特性之一是其高耐压能力,最大漏源电压可达到850V,使其适用于高压电源转换应用。
此外,该MOSFET具有较低的导通电阻,在导通状态下能够减少功率损耗,提高系统效率。
它还具备快速开关能力,适用于高频开关电路,从而减小外部电感和电容的尺寸,提高整体设计的紧凑性。
在可靠性方面,MTH6N85具有良好的热稳定性和抗过载能力,能够在较恶劣的工作环境下稳定运行。
最后,由于其标准的封装形式,MTH6N85可以方便地集成到各种电路设计中,并支持多种散热方式,适用于不同的应用需求。
MTH6N85主要应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器以及电机控制电路中,作为功率开关元件使用。
此外,它也适用于LED照明驱动、光伏逆变器以及家用电器中的电源模块,提供高效的电能转换解决方案。
在工业控制领域,MTH6N85可用于驱动继电器、电磁阀和其他高功率负载,满足复杂的电源管理需求。
由于其高耐压特性,该器件也常用于高压电池管理系统和电能质量调节设备中。
最后,在消费电子和工业设备中,MTH6N85可以作为负载开关或保护电路的一部分,实现对电路的安全控制。
FQP6N85C, STF6N85M, IRF840, 2SK2545