类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：80V
　　导通电阻（Rds(on)）：8.8mΩ（典型值）
　　栅极电压（VGS）：10V
　　最大功耗（PD）：90W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSON Advance

MTE6D8N08RH8 具有多个关键特性，使其在高性能电源管理系统中表现出色。
　　首先，该器件采用了先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其导通电阻在10V栅极电压下仅为8.8mΩ，这使得它在高电流应用中表现尤为出色。
　　其次，MTE6D8N08RH8 的封装采用了TSON Advance技术，具有良好的热管理能力。该封装设计优化了散热路径，确保在高功率操作时保持较低的结温，延长了器件的使用寿命并提高了可靠性。
　　此外，该MOSFET具有较高的电流处理能力，最大连续漏极电流可达60A，适用于要求高电流能力的电源转换器和电机控制应用。
　　最后，MTE6D8N08RH8 支持宽范围的栅极驱动电压，通常可在4.5V至20V之间工作，这使其兼容多种栅极驱动器方案，增加了设计的灵活性。

MTE6D8N08RH8 适用于多种高功率和高效率的电源管理应用。它常用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关以及电池管理系统中。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关器件，实现高效的电压转换。由于其低导通电阻和高电流能力，能够显著降低功率损耗，提高转换效率。
　　在电机驱动器中，MTE6D8N08RH8 用于H桥结构中的高边和低边开关，提供高效的电机控制和良好的动态响应。
　　此外，该器件还广泛应用于服务器电源、电信设备和工业自动化系统中，作为高可靠性的功率开关元件。
　　在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行。

IPD60R011C7, SiR862ADP, SQJA80EP, FDMS86180