容量：16Mbit
　　组织方式：1M x 16
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：10ns（最大）
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：54引脚 TSOP
　　接口类型：并行异步
　　读取电流：典型值 180mA（@10ns 访问时间）
　　待机电流：最大 10mA
　　封装尺寸：54-TSOP
　　制造商：Renesas

HN624116FBR38 是一款高性能、低功耗的异步SRAM芯片，具备出色的读写性能和稳定性。其高速访问时间可达10ns，能够满足高速数据存取的需求。该芯片采用CMOS技术制造，确保了低功耗运行，尤其在待机模式下功耗极低，非常适合对功耗敏感的应用。此外，HN624116FBR38 支持宽电压范围（2.3V至3.6V），增强了其在不同电源环境下的适应能力。其采用54引脚TSOP封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于高密度PCB设计。工业级温度范围确保其在恶劣环境下仍能稳定运行，适用于通信设备、工业控制系统、测试仪器和嵌入式系统等应用场景。
　　该芯片的并行异步接口设计使得其与各种微处理器和控制器兼容性良好，简化了系统设计并提高了整体可靠性。HN624116FBR38 还具备自动数据保持功能，在掉电情况下可以保持数据完整性，增强了系统的数据安全性。此外，该芯片的输入/输出引脚具有高抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中仍能稳定工作。

HN624116FBR38 主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的场景。常见的应用包括网络设备（如路由器、交换机）、工业控制与自动化设备、测试测量仪器、嵌入式系统、通信模块以及图像处理设备。其高速访问时间和低功耗特性使其特别适合于实时系统中需要频繁读写的数据缓冲和高速缓存用途。此外，该芯片也可用于高性能单片机或数字信号处理器（DSP）系统的外部存储扩展，提高系统的处理能力和响应速度。

IS61LV10248ALLB4-10BLI, CY62148EVLL