时间：2025/9/15 0:25:21
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PMF250XNEX 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特性。该器件适用于各种高功率应用，如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等。PMF250XNEX 采用 8 引脚的 PDFN 封装，具备良好的热性能和空间利用率，适合在高密度电路设计中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：25 V
栅源电压（VGS）：±12 V
连续漏极电流（ID）：8 A
导通电阻（RDS(on)）：25 mΩ @ VGS = 4.5 V；35 mΩ @ VGS = 2.5 V
封装：8-PDFN
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
功率耗散（PD）：3.2 W
PMF250XNEX 采用先进的 Trench 沟槽技术，确保了在低导通电阻下的高效性能，同时在 4.5V 和 2.5V 的栅极电压下都能保持稳定的导通状态，适用于低压驱动应用。其 25mΩ 的 RDS(on) 特性使其在高电流工作时仍能保持较低的功率损耗，提高整体系统效率。
此外，该器件的封装设计优化了热性能，提高了散热效率，并且 8-PDFN 封装提供了较小的 PCB 占用空间，适合紧凑型电路设计。PMF250XNEX 还具有高雪崩能量耐受能力，确保在突变负载条件下也能稳定工作，提高系统的可靠性和安全性。该器件还符合 RoHS 环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。
PMF250XNEX 主要用于电源管理领域，例如在 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统中。其低导通电阻和高效率特性使其成为便携式电子设备、笔记本电脑、平板电脑、服务器电源模块以及工业控制系统的理想选择。由于其优异的热性能和紧凑的封装，它也适用于对空间和效率都有严格要求的汽车电子系统，如车载充电器和电池管理系统。
Si2302DS、FDS6675、IRLML2502、FDN340P
