类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
　　通道类型：双N沟道
　　漏极电流（ID）：300mA（最大值）
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：20V
　　栅极-源极电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（最大值，VGS=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

CJ3402具有以下主要特性：首先，其双N沟道设计允许在单一芯片上实现两个独立的MOSFET器件，适用于多路开关或负载控制应用。其次，低导通电阻（RDS(on)）确保了在工作过程中功率损耗最小化，提高了系统的整体效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至12V之间工作，提供了设计上的灵活性。
　　在封装方面，SOT-23封装体积小、重量轻，适合空间受限的电路设计。同时，这种封装形式具有良好的热性能，可以有效散热，确保器件在高负载条件下稳定工作。CJ3402还具有较高的击穿电压和较强的抗静电能力，能够在多种环境条件下可靠运行。
　　从制造角度来看，CJ3402通常采用先进的硅基半导体工艺制造，确保了器件的高性能和可靠性。其设计优化了开关特性和静态损耗，使其适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、电机驱动和LED照明控制等。

CJ3402广泛应用于以下领域：首先是便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于电源管理、信号开关和电池保护电路。其次，在嵌入式系统和工业控制设备中，CJ3402常用于驱动继电器、LED背光和小型电机。此外，它也适用于低功率DC-DC转换器和负载开关电路，能够提供高效的电源控制解决方案。
　　在电源管理系统中，CJ3402可用于实现多路电源切换，确保不同电路模块的独立供电管理。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、灯光控制系统和车载信息娱乐系统的电源管理部分。由于其SOT-23封装的小巧设计，CJ3402也非常适合需要高密度布局的PCB设计。

Si2302DS, 2N7002, BSS138