MTE100N05是一款由MTE公司制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高效率的电子应用中。该器件设计用于在高电流和高电压条件下工作,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。MTE100N05常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统等领域。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):100A
最大漏源电压(VDS):55V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大5毫欧(@VGS=10V)
栅极电荷(Qg):典型值约150nC
功率耗散(Ptot):300W
工作温度范围:-55°C至+175°C
MTE100N05 MOSFET具备多项优异特性,使其适用于高性能功率电子设备。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提高系统效率并减少发热。其次,该器件能够承受高达100A的漏极电流,并在55V的漏源电压下稳定工作,适合高功率应用场景。
此外,MTE100N05具有良好的热管理性能,采用高导热封装材料和优化的内部结构,有助于快速散热,从而提升器件的稳定性和寿命。该MOSFET的栅极电荷较低,有助于实现高速开关操作,减少开关损耗,适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
其栅源电压范围为±20V,具有较强的抗电压波动能力,同时内部结构设计确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。MTE100N05适用于多种工业控制、电源管理和汽车电子系统,提供可靠性和高效率的解决方案。
MTE100N05广泛应用于各种高功率和高效率的电子系统中。在电源管理领域,它常用于大功率开关电源、DC-DC转换器和负载开关电路,以提高能量转换效率并减少热量产生。在工业控制方面,该MOSFET适用于电机驱动、逆变器和伺服控制系统,提供快速响应和稳定的功率输出。
在汽车电子领域,MTE100N05可用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)和电动助力转向系统(EPS),其高可靠性和耐高温特性使其适用于严苛的车载环境。此外,该器件还可用于储能系统、太阳能逆变器和UPS不间断电源等应用场景,提供高效稳定的功率控制解决方案。
IRF1010E, STP100N55F3AG, FDP100N55F