MTE100N05 时间：2025/9/3 9:44:45 阅读：24

MTE100N05是一款由MTE公司制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的电子应用中。该器件设计用于在高电流和高电压条件下工作，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。MTE100N05常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：55V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5毫欧（@VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：典型值约150nC
　　功率耗散（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

MTE100N05 MOSFET具备多项优异特性，使其适用于高性能功率电子设备。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率并减少发热。其次，该器件能够承受高达100A的漏极电流，并在55V的漏源电压下稳定工作，适合高功率应用场景。
　　此外，MTE100N05具有良好的热管理性能，采用高导热封装材料和优化的内部结构，有助于快速散热，从而提升器件的稳定性和寿命。该MOSFET的栅极电荷较低，有助于实现高速开关操作，减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
　　其栅源电压范围为±20V，具有较强的抗电压波动能力，同时内部结构设计确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。MTE100N05适用于多种工业控制、电源管理和汽车电子系统，提供可靠性和高效率的解决方案。

应用

MTE100N05广泛应用于各种高功率和高效率的电子系统中。在电源管理领域，它常用于大功率开关电源、DC-DC转换器和负载开关电路，以提高能量转换效率并减少热量产生。在工业控制方面，该MOSFET适用于电机驱动、逆变器和伺服控制系统，提供快速响应和稳定的功率输出。
　　在汽车电子领域，MTE100N05可用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS），其高可靠性和耐高温特性使其适用于严苛的车载环境。此外，该器件还可用于储能系统、太阳能逆变器和UPS不间断电源等应用场景，提供高效稳定的功率控制解决方案。