MTD6N10ET4G 时间：2025/6/30 17:02:20 阅读：4

MTD6N10ET4G是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频、高效率的功率转换和开关电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度的特点，适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等场景。

参数

型号：MTD6N10ET4G
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　额定电压（Vds）：100V
　　额定电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：120mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：7nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：580pF（典型值）
　　漏源击穿电压（BVDSS）：100V
　　最大功耗（Ptot）：3.9W（在Tc=25℃时）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

MTD6N特性：
　　1. 极低的导通电阻，能够有效降低导通损耗，提升系统效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频开关应用，减少开关损耗。
　　3. 高雪崩能量能力，提高了器件在异常条件下的鲁棒性。
　　4. 小型化封装设计，节省PCB空间，便于紧凑型设计。
　　5. 支持宽范围的工作温度，适应各种恶劣环境。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
　　这些特点使得MTD6N10ET4G成为许多高性能电子设备的理想选择。

应用

MTD6N10ET4G广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率转换电路。
　　2. DC-DC转换器和升压/降压模块。
　　3. 负载开关，用于动态控制不同负载的供电状态。
　　4. 电池管理系统（BMS），特别是在电动车或储能系统中。
　　5. 电机驱动和控制电路，如步进电机和无刷直流电机。
　　6. 各类保护电路，例如过流保护和短路保护。
　　7. 其他需要高效功率开关的应用场景。