MTB55N06ZT4 时间：2025/9/3 20:31:02 阅读：28

MTB55N06ZT4是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合。这款器件以其高效率、低导通电阻以及良好的热性能而著称，适用于各种电源管理、电机控制和负载开关应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：55A
　　导通电阻（RDS(ON)）：最大35mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

MTB55N06ZT4具备多项优越特性，使其在功率电子设计中非常受欢迎。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体效率并减少热量产生。该特性尤其适用于高功率密度设计，例如电源适配器、DC-DC转换器和电池充电系统。
　　其次，MTB55N06ZT4支持高达±20V的栅源电压，这使得它在面对电压波动和瞬态条件时具有更强的耐受能力。此外，其高达55A的连续漏极电流能力，使其适用于高负载应用，如电机驱动和功率开关电路。
　　该器件采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，能够在高功率操作条件下保持稳定的热管理。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适合在极端环境条件下使用，例如汽车电子和工业控制系统。
　　MTB55N06ZT4还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在意外过压或短路情况下提供一定程度的保护，从而增强系统的可靠性和耐用性。这种特性使其适用于需要高稳定性和容错能力的应用场景。

应用

MTB55N06ZT4广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、逆变器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。由于其高效率和低导通电阻，它也常用于便携式设备的电源管理模块以及电动汽车的充电和能量管理系统。此外，该MOSFET还适用于需要高电流承载能力和良好热管理的汽车电子系统，例如电动助力转向系统（EPS）和车载充电器。