时间：2025/9/14 22:50:27
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BUK9675-55A,118是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电流和高效率应用设计，具有优异的导通电阻和热性能，适用于电源管理、工业控制和电机驱动等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：100A
漏源电压（VDS）：55V
导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ（最大值）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK9675-55A,118采用先进的沟槽技术，提供极低的导通电阻，从而减少导通损耗，提高系统效率。
该MOSFET具有高电流承载能力和优异的热稳定性，能够在高负载条件下稳定运行。
其封装设计（TO-263）便于散热，并支持表面贴装工艺，提高生产效率。
此外，该器件具备高雪崩能量耐受能力，增强其在高电压和高电流环境下的可靠性。
适用于多种高功率应用场景，如DC-DC转换器、电机控制器和电源管理系统。
BUK9675-55A,118广泛应用于高功率电源系统、工业自动化设备、汽车电子（如电动助力转向系统）、电池管理系统以及高效能电机控制电路。
由于其出色的导通性能和热管理能力，该器件也非常适合用于服务器电源、电信设备和可再生能源系统中的功率转换模块。
SiR142DP-T1-GE3, IPPB9675-55A, BSC0975LS
