时间：2025/7/12 5:26:20
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CBR02C120G9GAC 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，主要用于开关和功率控制应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它适合应用于各种电力电子设备中，例如电源适配器、电机驱动和 DC-DC 转换器等。
该型号属于 CBR 系列，专为需要高效率和可靠性的应用而设计。其封装形式通常为行业标准类型，便于安装和集成到现有系统中。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：2A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：15nC
开关频率：最高支持 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252
CBR02C120G9GAC 提供了非常低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了整体效率。
该器件还具有快速的开关速度，能够满足高频应用的需求，同时内置保护功能，如过流保护和短路耐受能力，确保在恶劣条件下的稳定性。
此外，其封装形式紧凑，便于散热管理，非常适合空间受限的设计环境。
CBR02C120G9GAC 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和降压/升压转换。
2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
3. 消费类电子产品，如笔记本电脑适配器、智能手机充电器等。
4. 工业设备中的电机驱动和 PWM 控制。
5. LED 驱动器及照明解决方案。
由于其高效能和高可靠性，这款 MOSFET 成为了许多现代电力电子设计的理想选择。
CBR02C120G9GAD, CBR03C120G9GAC, FDMC120B
