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MTB50P03HDLT4G 发布时间 时间:2025/4/30 9:33:17 查看 阅读:6

MTB50P03HDLT4G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用先进的制程工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特性,适合需要高效能和高可靠性的应用场景。
  这款芯片属于 P 沟道增强型 MOSFET,能够承受较高的电压,并在高频应用中表现出色。其封装形式通常为小型化设计,便于 PCB 布局和散热管理。

参数

型号:MTB50P03HDLT4G
  类型:P沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(VDS):50V
  最大栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):-3A
  导通电阻(RDS(on)):35mΩ(典型值,VGS=-4.5V时)
  总功耗(Ptot):1.2W
  工作温度范围(Ta):-55°C至+150°C
  封装形式:TO-263(PLCC-8)

特性

1. 低导通电阻 (RDS(on)),有助于降低功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频开关应用。
  3. 高击穿电压确保了在高压环境下的稳定运行。
  4. 小型化封装设计,节省PCB空间并简化布局。
  5. 具备良好的热性能,能够在高温环境下长期工作。
  6. 可靠性高,适用于工业和汽车级应用领域。
  7. 内置静电保护功能,增强了器件的抗干扰能力。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 直流/直流转换器中的同步整流管。
  3. 电机驱动电路中的负载开关。
  4. 照明系统中的调光控制开关。
  5. 各种电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
  7. 汽车电子中的负载切换和电源管理。

替代型号

IRF5305PBF, FDP5800, STP55NF06LT

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MTB50P03HDLT4G参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 25A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4900pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MTB50P03HDLT4GOSMTB50P03HDLT4GOS-NDMTB50P03HDLT4GOSTR