SI402DN-T1-GE3 时间：2025/5/15 13:51:21 阅读：1

SI402DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特性，非常适合于需要高效能和高可靠性的应用场合。其封装形式为 TO-263 (DPAK)，便于散热管理且易于安装。
　　该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他功率管理电路中，凭借其优异的电气性能和稳定性，成为许多工业和消费类电子产品的首选功率 MOSFET。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：52A
　　导通电阻（典型值）：3.8mΩ
　　栅极电荷：17nC
　　开关时间：ton=9ns, toff=18ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C

特性

1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提高系统效率。
　　2. 高开关速度设计，能够有效减少开关损耗。
　　3. 强大的雪崩能力和坚固的短路耐受能力，增强了器件的可靠性。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的需求。
　　5. 优化的热性能，适合高功率密度的应用环境。
　　6. 封装小巧，节省 PCB 空间的同时保持良好的散热特性。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
　　2. 各种类型的电机驱动，如步进电机、无刷直流电机等。
　　3. 负载切换和保护电路。
　　4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　5. 电池管理系统 (BMS) 中的功率通路管理。
　　6. LED 驱动器和其他照明解决方案中的功率调节组件。