MTB20N03Q8 时间：2025/6/18 22:44:06 阅读：3

MTB20N03Q8是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等领域。
　　其封装形式为TO-252（DPAK），能够提供较高的电流处理能力和散热性能，同时具备出色的电气特性。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大连续漏极电流：20A
　　导通电阻（典型值）：4.5mΩ
　　栅极电荷：16nC
　　总电容：750pF
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　功耗：90W

特性

MTB20N03Q8具有以下特点：
　　1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗，提升效率。
　　2. 快速的开关速度，适用于高频应用场景。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件的可靠性和耐用性。
　　4. 符合RoHS标准，环保且安全。
　　5. 小型化封装，节省PCB空间的同时保持良好的热性能。
　　6. 提供高电流承载能力，适用于多种工业及消费类电子设备。

应用

MTB20N03Q8适合用于以下应用领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器，尤其是降压或升压拓扑结构。
　　3. 电机驱动电路，支持高效能的负载控制。
　　4. LED驱动器，实现精确的电流调节。
　　5. 电池保护电路，确保过流和短路保护功能。
　　6. 各种消费类电子产品，如笔记本适配器、充电器等。