时间：2025/11/7 21:57:41
阅读：6
RBE1VAM20ATR是一款由Rectron Semiconductor生产的表面贴装硅整流二极管，采用SMA（DO-214AC）封装。该器件专为高效率、小尺寸电源应用设计，广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信系统中的整流和保护电路中。作为一款通用整流二极管，RBE1VAM20ATR具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内正常工作。其主要特点是具有较高的反向耐压能力、较低的正向导通压降以及快速恢复特性，能够有效提升电源转换效率并减少能量损耗。此外，由于采用了先进的平面扩散工艺和环氧树脂环保封装材料，该器件符合RoHS指令要求，适用于无铅焊接工艺，满足现代电子制造对环保与可靠性的双重需求。
类型：整流二极管
封装/包装：SMA（DO-214AC）
是否无铅：是
是否环保：符合RoHS
最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V
最大直流阻断电压（VR）：1000V
最大有效值电压（VRMS）：700V
最大直流正向电流（IF）：1A
峰值浪涌电流（IFSM）：30A（单个半正弦波，8.3ms）
最大正向压降（VF）：1.1V @ 1A, 150°C
最大反向漏电流（IR）：5μA @ 1000V, 25°C；50μA @ 1000V, 125°C
最大反向恢复时间（trr）：500ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
储存温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
RBE1VAM20ATR整流二极管具备优异的电气性能和热稳定性，适合在多种电源整流场景下使用。其最大重复峰值反向电压高达1000V，意味着它可以在高压环境中安全运行，防止因瞬态过压导致的击穿损坏。该器件的最大直流正向电流为1A，在常温至高温条件下均能保持稳定的电流承载能力，适用于中小功率开关电源、AC-DC适配器等应用。正向压降在1A电流下仅为1.1V左右，有助于降低导通损耗，提高整体能效。同时，该二极管具有快速恢复特性，反向恢复时间（trr）典型值为500ns，能够在高频整流中有效减少开关损耗和电磁干扰，提升系统效率。
在可靠性方面，RBE1VAM20ATR采用坚固的SMA表面贴装封装，不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能。封装材料为黑色环氧树脂，具有优良的绝缘性、防潮性和抗机械应力能力，确保器件在恶劣环境下长期稳定运行。该器件通过了高温反偏（HTRB）、温度循环、恒定湿热等多项可靠性测试，符合国际质量标准。此外，其工作结温范围从-55°C到+150°C，展现出卓越的环境适应性，可在高低温交替或持续高温的工业环境中可靠工作。
RBE1VAM20ATR支持回流焊和波峰焊等多种SMT装配工艺，并兼容无铅制程，符合当前绿色电子制造的发展趋势。其低漏电流特性（室温下仅5μA）也使其在待机或低功耗模式下表现出色，有助于延长电池供电设备的续航时间。综合来看，这款二极管以其高耐压、低损耗、快恢复和高可靠性，成为众多通用整流应用的理想选择。
RBE1VAM20ATR广泛用于各类中小功率电源系统中，包括但不限于：开关模式电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、LED驱动电源、充电器、电视和显示器电源板、工业控制电源模块、家用电器电源电路、逆变器、UPS不间断电源以及各种需要高压整流的电子设备。此外，它也可用于输入级的桥式整流电路、反向极性保护电路、续流二极管（Flyback Diode）以及噪声抑制电路中，提供可靠的电流单向导通功能。
1N4007G-TP, M1G, M1GT, RGP10J, SB1100
