时间：2025/9/1 22:19:21
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H9HCNNNBKUMLHR-NMO是一款由SK海力士（SK Hynix）制造的高性能DRAM芯片。该芯片属于LPDDR4X系列，主要用于移动设备和嵌入式系统，提供高带宽和低功耗的特性，适合现代智能手机、平板电脑和便携式电子产品的需求。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，具备高密度存储能力和卓越的稳定性。
容量：8GB
类型：LPDDR4X SDRAM
I/O总线速度：4266Mbps
工作电压：1.1V
封装类型：FBGA
引脚数：162
数据宽度：16位
温度范围：-40°C至85°C
H9HCNNNBKUMLHR-NMO具备多项先进技术特性，使其在高性能计算和低功耗应用中表现出色。首先，该芯片支持4266Mbps的I/O总线速度，提供了极高的数据传输带宽，能够满足高分辨率显示、大型游戏和多任务处理等高性能需求。此外，它采用1.1V的工作电压，显著降低了功耗，延长了移动设备的电池寿命。芯片的封装采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）技术，有助于提高散热性能和电路板布局的灵活性。同时，该芯片支持宽温度范围（-40°C至85°C），确保其在各种工作环境下的稳定性和可靠性。H9HCNNNBKUMLHR-NMO还支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down）和自刷新模式（Self-Refresh），以进一步优化能耗。这些特性使其成为现代移动设备和嵌入式系统的理想选择。
H9HCNNNBKUMLHR-NMO广泛应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、AR/VR设备以及其他对性能和功耗有较高要求的便携式电子产品。此外，它也适用于需要高带宽和低功耗特性的嵌入式系统，如工业控制设备、车载信息系统和智能家电。该芯片的高稳定性和宽温度范围特性使其在严苛环境下也能可靠运行。
H9HKNNNCAUMUFR-NMO
H9HXNNNCCUMUBR-NMO
