类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：100V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：115A
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-264
　　导通电阻(RDS(on))：典型值 7.5mΩ（在 VGS = -10V 时）
　　功率耗散(PD)：250W
　　阈值电压(VGS(th))：-2.0V 至 -4.0V（在 ID = 250μA 时）

MTB115P10KJ3 是一款高性能功率 MOSFET，具备多项优异的电气和物理特性。首先，其 P 沟道结构使其在高侧开关应用中表现出色，尤其适用于同步整流和 DC-DC 转换器。该器件的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，MTB115P10KJ3 具有较高的电流承载能力，在连续漏极电流下可达 115A，适用于高功率密度设计。
　　该器件采用 TO-264 封装，具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。其额定工作温度范围从 -55°C 到 175°C，适合在极端环境条件下使用，如工业控制、汽车电子和航空航天系统。
　　MTB115P10KJ3 还具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，增强系统的可靠性和耐用性。栅极驱动电压范围为 ±20V，支持常见的 -10V 和 -12V 驱动电压，便于与各类栅极驱动器配合使用。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
　　该器件还具备良好的抗短路能力，在异常工作条件下能够提供额外的安全保障。MTB115P10KJ3 符合 RoHS 环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计需求。

MTB115P10KJ3 主要应用于高功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. **开关电源（SMPS）**：作为高侧开关，用于 DC-DC 转换器、反激式和正激式变换器中，提供高效能和高可靠性的功率转换。
　　2. **电机控制**：在电机驱动电路中作为功率开关，实现对直流电机或步进电机的精确控制。
　　3. **电池管理系统（BMS）**：用于高功率电池组的充放电控制，确保电池系统的安全与高效运行。
　　4. **工业自动化**：广泛应用于工业控制系统中的高功率负载开关，如继电器替代、电源管理模块等。
　　5. **汽车电子**：适用于车载电源系统、电动工具、电动助力转向系统（EPS）等高可靠性要求的应用。
　　6. **UPS 和逆变器系统**：在不间断电源（UPS）和逆变器中作为主功率开关，实现高效的能量转换。

MTB115P10KJ3 的替代型号包括：MTB115P10KJ3R、MTB115P10KJ3G、SiHP055NQ、IPB115P10NK、IRF9540N、FDP115N10A、FDBL115N10A