类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极击穿电压(BVDSS)：500V
　　连续漏极电流(ID)：9A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为0.65Ω（最大值0.8Ω）
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2V至4V
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220AB
　　功率耗散(PD)：80W
　　漏极-栅极雪崩能量(EAS)：150mJ

SKW9N50TM是一款高性能的功率MOSFET，采用了先进的平面工艺技术，具备较低的导通电阻和较高的开关速度。其BVDSS达到500V，使其适用于高电压应用场景。器件的RDS(on)典型值为0.65Ω，在高电流下仍能保持较低的导通损耗，提高系统效率。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在150℃的高温环境下可靠工作，适应工业级和车载应用的需求。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路。TO-220AB封装形式具备良好的散热性能，有助于提高整体系统的热管理能力。
　　SKW9N50TM还具备较强的抗雪崩能力，EAS值达到150mJ，能够承受一定的瞬态能量冲击，增强系统的稳定性和耐用性。适用于电源变换、电机驱动和工业自动化设备中，作为核心功率开关元件。

SKW9N50TM广泛应用于各类高电压、高功率电子系统中，例如：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC转换器中的主开关元件，提供高效能的电源转换；
　　2. DC-DC转换器：在升降压电路中作为功率开关，提高能量转换效率；
　　3. 电机控制：用于电机驱动电路中，实现PWM调速和方向控制；
　　4. 工业自动化设备：如PLC控制模块、伺服驱动器等，作为高可靠性功率开关；
　　5. 车载电子系统：如电动车电机控制器、车载充电器等，适应高温和振动环境。

IRF840, FQA9N50, STW9NK50Z