类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω @ VGS=10V
　　功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220、TO-252、TO-263

2N7077 具备多项优异特性，使其适用于多种功率电子应用。首先，它的高漏源击穿电压（100V）使其能够在中高压环境下稳定运行，适用于开关电源、DC-DC 转换器和电机控制等场景。其次，该器件的导通电阻较低（RDS(on) 最大为 0.35Ω），在导通状态下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，2N7077 具备良好的热稳定性，能够在高温环境下持续工作，提高了系统的可靠性。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计。其封装形式包括 TO-220、TO-252 和 TO-263，便于根据应用需求选择合适的封装方式，满足不同的散热和空间限制条件。2N7077 还具备快速开关能力，适合用于高频开关应用，如 PWM 控制器和电源逆变器。

2N7077 广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、直流电机控制器、电池管理系统（BMS）、逆变器和 DC-DC 转换器等。其高耐压和低导通电阻特性使其成为电源管理模块中的理想选择。在工业控制和汽车电子系统中，该器件常用于负载开关、继电器驱动和功率调节电路。此外，2N7077 也适用于消费类电子产品中的电源管理部分，如笔记本电脑电源适配器、智能家电和照明控制系统。

IRF540N, FQP10N10L, IRLZ44N, 2N7078