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MTB035P03SN3 发布时间 时间:2025/7/17 18:29:31 查看 阅读:13

MTB035P03SN3是一款由英飞凌(Infineon)公司推出的功率MOSFET器件,属于OptiMOS?系列。该器件专为高效能和高可靠性的电源应用而设计,广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统以及其他需要低导通电阻和快速开关性能的场景。

参数

类型:功率MOSFET
  封装类型:PG-TDSON-8
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):35A
  Rds(on)(典型值):3.5mΩ
  工作温度范围:-55°C至150°C
  技术系列:OptiMOS?

特性

MTB035P03SN3采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供非常低的导通电阻(Rds(on)),从而显著降低导通损耗并提高整体效率。此外,它具有较高的电流承载能力,并优化了热管理性能,确保在高温环境下也能稳定运行。
  该MOSFET的封装形式为PG-TDSON-8,是一种小型化的表面贴装封装,适合紧凑型PCB设计。同时,其封装结构支持更高的功率密度,使系统设计更轻薄。此外,MTB035P03SN3具备较低的栅极电荷(Qg),这有助于减少开关损耗,提高高频应用中的性能。
  为了增强可靠性,该器件通过了严格的工业标准测试,适用于要求长时间稳定工作的应用场景。其宽泛的工作温度范围(从-55°C到150°C)也使其能够适应恶劣环境条件下的使用需求。

应用

MTB035P03SN3广泛用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  - 服务器和电信设备中的DC-DC转换器
  - 同步整流电路
  - 电池管理系统和能量存储解决方案
  - 高效电机控制及驱动模块
  - 汽车电子与车载电源系统
  - 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备

替代型号

BSC035N03LS、BSC040N03MS、BSC047N03MS

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