时间：2025/7/17 18:29:31
阅读：14
MTB035P03SN3是一款由英飞凌（Infineon）公司推出的功率MOSFET器件，属于OptiMOS?系列。该器件专为高效能和高可靠性的电源应用而设计，广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统以及其他需要低导通电阻和快速开关性能的场景。
类型：功率MOSFET
封装类型：PG-TDSON-8
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：35A
Rds(on)（典型值）：3.5mΩ
工作温度范围：-55°C至150°C
技术系列：OptiMOS?
MTB035P03SN3采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供非常低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低导通损耗并提高整体效率。此外，它具有较高的电流承载能力，并优化了热管理性能，确保在高温环境下也能稳定运行。
该MOSFET的封装形式为PG-TDSON-8，是一种小型化的表面贴装封装，适合紧凑型PCB设计。同时，其封装结构支持更高的功率密度，使系统设计更轻薄。此外，MTB035P03SN3具备较低的栅极电荷（Qg），这有助于减少开关损耗，提高高频应用中的性能。
为了增强可靠性，该器件通过了严格的工业标准测试，适用于要求长时间稳定工作的应用场景。其宽泛的工作温度范围（从-55°C到150°C）也使其能够适应恶劣环境条件下的使用需求。
MTB035P03SN3广泛用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 服务器和电信设备中的DC-DC转换器
- 同步整流电路
- 电池管理系统和能量存储解决方案
- 高效电机控制及驱动模块
- 汽车电子与车载电源系统
- 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备
BSC035N03LS、BSC040N03MS、BSC047N03MS
