MTB035P03SN3是一款由英飞凌(Infineon)公司推出的功率MOSFET器件,属于OptiMOS?系列。该器件专为高效能和高可靠性的电源应用而设计,广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统以及其他需要低导通电阻和快速开关性能的场景。
类型:功率MOSFET
封装类型:PG-TDSON-8
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):35A
Rds(on)(典型值):3.5mΩ
工作温度范围:-55°C至150°C
技术系列:OptiMOS?
MTB035P03SN3采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供非常低的导通电阻(Rds(on)),从而显著降低导通损耗并提高整体效率。此外,它具有较高的电流承载能力,并优化了热管理性能,确保在高温环境下也能稳定运行。
该MOSFET的封装形式为PG-TDSON-8,是一种小型化的表面贴装封装,适合紧凑型PCB设计。同时,其封装结构支持更高的功率密度,使系统设计更轻薄。此外,MTB035P03SN3具备较低的栅极电荷(Qg),这有助于减少开关损耗,提高高频应用中的性能。
为了增强可靠性,该器件通过了严格的工业标准测试,适用于要求长时间稳定工作的应用场景。其宽泛的工作温度范围(从-55°C到150°C)也使其能够适应恶劣环境条件下的使用需求。
MTB035P03SN3广泛用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
- 服务器和电信设备中的DC-DC转换器
- 同步整流电路
- 电池管理系统和能量存储解决方案
- 高效电机控制及驱动模块
- 汽车电子与车载电源系统
- 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备
BSC035N03LS、BSC040N03MS、BSC047N03MS