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IRF7473TRPBF 发布时间 时间:2025/5/21 10:14:37 查看 阅读:5

IRF7473TRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TOLL封装。该器件设计用于需要高效率和低导通电阻的应用场景,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他电力电子设备中。
  这款MOSFET具有较低的导通电阻(Rds(on)),从而减少功率损耗并提高系统效率。此外,它还具备快速开关特性和较高的电流处理能力,使其非常适合高频开关应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:125A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:95nC
  输入电容:2880pF
  总耗散功率:230W
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

IRF7473TRPBF的主要特点是其超低的导通电阻(在特定条件下可低至1.5mΩ),这使得器件在大电流应用中表现出色,同时减少了功率损耗。此外,该器件具备出色的热性能,能够有效散热以适应高温环境下的运行需求。
  TOLL封装形式不仅提供了良好的散热路径,还支持自动化的表面贴装工艺,简化了制造流程。该器件还拥有较宽的工作温度范围,可以满足工业级和汽车级应用的要求。
  另外,由于其快速开关速度,IRF7473TRPBF适用于高频应用场合,例如DC-DC转换器和PWM控制器等。这些特点共同确保了该器件在高性能电力电子系统中的可靠性和高效性。

应用

IRF7473TRPBF适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电动车辆中的电机驱动电路
  3. 工业自动化中的负载切换控制
  4. 高效DC-DC转换器
  5. PWM控制器
  6. 各类大电流、高频开关应用场景
  凭借其卓越的电气性能和热管理能力,该器件成为许多高功率密度设计的理想选择。

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IRF7473TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 4.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs61nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3180pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7473PBFTRIRF7473TRPBF-NDIRF7473TRPBFTR-ND