HY628400BLLG-55 时间：2025/9/1 20:55:19 阅读：20

HY628400BLLG-55是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该型号属于高速SRAM存储器，广泛应用于需要快速读写操作的嵌入式系统、工业控制设备和网络设备中。HY628400BLLG-55采用先进的CMOS工艺制造，具有低功耗和高可靠性等优点，适用于各种需要高性能存储解决方案的场景。

参数

容量：512K x 8 位
　　电压：3.3V
　　访问时间：5.5ns
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行
　　组织结构：512KB，8位数据总线
　　封装引脚数：54引脚

特性

HY628400BLLG-55是一款专为高速应用设计的SRAM芯片，其主要特性包括快速访问时间（5.5ns）以及低功耗CMOS工艺，确保了在高性能系统中稳定运行。其3.3V工作电压设计使其与多种现代微处理器和控制器兼容，同时减少了功耗和热量产生。该芯片的TSOP封装形式具有较小的封装体积，适合在空间受限的电路设计中使用，并且其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），使其适用于严苛环境下的工业和通信设备。
　　此外，HY628400BLLG-55具备良好的抗干扰能力，支持异步操作，允许灵活的读写控制。其并行接口结构支持高速数据传输，非常适合用于高速缓存、缓冲存储器以及实时控制系统中的关键数据存储。芯片内部集成了地址和数据锁存器，简化了外部控制逻辑的设计，同时具备自动省电模式，有助于在不使用时降低功耗。