MT53E1536M32D4DT-046 是一款高性能的 DDR3L SDRAM(低电压同步动态随机存取存储器),专为移动设备、嵌入式系统和其他对功耗敏感的应用设计。该芯片采用先进的制程工艺制造,具有低功耗和高带宽的特点,能够满足现代电子设备对内存性能和能效的需求。
DDR3L 内存工作在较低的供电电压(通常为 1.35V),相较于标准 DDR3 的 1.5V 能够显著降低功耗。此外,该芯片支持多种数据传输速率,并具备 ECC(纠错码)功能以提高数据可靠性。
类型:DDR3L SDRAM
容量:4GB (512Mb x 72)
组织结构:16 Banks
速度:800 MT/s, 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s
工作电压:1.35V
封装形式:FBGA
引脚数:96-ball
数据宽度:x8/x16/x32
温度范围:-40°C 至 +85°C
刷新模式:自动刷新/自刷新
接口:JEDEC 标准兼容
1. 低功耗设计:工作电压仅为 1.35V,相比传统 DDR3 的 1.5V 更节能。
2. 高速数据传输:支持高达 1600 MT/s 的数据速率,满足高性能计算需求。
3. 强大的错误检测能力:内置 ECC 功能,确保数据完整性。
4. 灵活的封装选项:采用 FBGA 封装,适合紧凑型设计。
5. 广泛的工作温度范围:能够在 -40°C 至 +85°C 的环境下稳定运行。
6. 自动刷新与自刷新模式:减少控制器负担并优化功耗表现。
7. 符合 JEDEC 标准:确保与其他硬件组件的高度兼容性。
MT53E1536M32D4DT-046 主要应用于对性能和功耗要求较高的场景,包括但不限于:
1. 智能手机和平板电脑等移动设备。
2. 嵌入式系统,如工业控制、网络设备和 IoT 设备。
3. 笔记本电脑及其他便携式计算设备。
4. 数字电视、机顶盒和其他消费类电子产品。
5. 医疗设备及汽车电子中的数据处理单元。
由于其出色的能效和可靠性,该芯片非常适合需要长时间稳定运行且对能耗敏感的场合。
MT53E1536M32D4GQ-046
MT53E1536M32D4CJ-046
MT53E1536M32D4CK-046