IS43DR81280A-3DBLI 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有高速读写能力、低功耗设计以及高可靠性的特点,适用于需要高速数据存取的工业控制、网络通信、测试设备及嵌入式系统等领域。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,确保了稳定性和耐用性,并且支持多种封装形式以适应不同应用需求。
类型:异步SRAM
容量:128K x 8 位
电源电压:3.3V
访问时间:10ns
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
输入/输出电压兼容性:3.3V 和 5V 兼容
读取电流:最大 180mA(典型值)
待机电流:最大 10mA
封装引脚数:54
时钟频率:无(异步)
IS43DR81280A-3DBLI 的主要特性之一是其高速访问时间,仅为10ns,这使得它能够在需要快速响应的应用中提供出色的性能。该芯片采用低功耗CMOS技术,在保证高性能的同时,有效降低功耗,使其适用于对能耗敏感的系统。此外,该SRAM支持宽工作温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种工业环境。
该器件支持异步操作,无需时钟信号,简化了系统设计并降低了复杂性。其I/O接口兼容3.3V和5V逻辑电平,增强了与多种控制器和外围设备的兼容性。封装方面,采用TSOP封装形式,54引脚布局,不仅节省空间,而且提高了机械稳定性和散热性能。
IS43DR81280A-3DBLI 还具有高抗干扰能力和数据保持能力,在非工作状态下仍可维持数据完整性,确保系统稳定运行。此外,该芯片内部结构设计优化,具有较强的抗静电和抗干扰能力,适合在复杂电磁环境中使用。
IS43DR81280A-3DBLI SRAM 芯片广泛应用于需要高速、低功耗存储的系统中。例如,在工业自动化控制系统中,它可以用作缓存或临时数据存储,提升系统的响应速度和稳定性。在通信设备中,该芯片可作为高速缓冲存储器,用于处理实时数据流或网络包缓存。此外,该芯片也适用于测试测量设备,用于存储测试数据和程序指令,提高设备的数据处理能力。
嵌入式系统如智能家电、安防监控设备和医疗仪器中,IS43DR81280A-3DBLI 可作为主控芯片的外部扩展内存,提升系统性能和运行效率。在航空航天和汽车电子领域,该芯片的高可靠性和宽温工作特性使其成为理想选择。此外,该SRAM还可用于网络路由器、交换机和工业计算机等设备,作为高速数据缓冲和临时存储单元。
IS43LV81280A-3DBLI, IS43DR81280B-3DBLI, CY62148EVLL-45ZSXI, IDT71V416SA10PFG