时间：2025/10/22 9:21:30
阅读：9
MT47H128M16RT-25E IT:C TR 是由Micron（美光）公司生产的一款DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）芯片。该器件属于高性能、低功耗的内存解决方案，广泛应用于需要大容量和高速数据处理能力的电子系统中。这款芯片采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，尺寸紧凑，适合在空间受限的应用场景中使用。MT47H128M16RT-25E 的存储容量为128兆字（Megawords），每个字宽16位，因此总存储容量为2Gbit（256MB），组织结构为8个内部Bank，每个Bank包含16,384行和16,384列。其工作电压为标准的2.3V至2.7V，典型值为2.5V，符合JEDEC标准的DDR内存电气规范。该芯片支持自动刷新、自刷新、突发终止、突发长度可编程等特性，提升了内存系统的灵活性与能效表现。此外，该型号后缀中的‘-25E’表示其最高工作频率可达400MHz（时钟频率200MHz，双沿传输），对应的访问周期为2.5纳秒，具备良好的时序性能。‘IT:C’代表工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于对环境适应性要求较高的工业控制、网络设备和嵌入式系统。‘TR’则表示该器件以卷带包装形式供货，便于自动化贴片生产。MT47H128M16RT-25E 在设计上兼容主流的DDR内存控制器，并可通过模式寄存器配置多种操作模式，如突发类型选择（顺序或交错）、突发长度设定（1、2、4、8）以及CAS延迟调节（CL=2或CL=3）等功能，从而优化系统性能。作为一款成熟的工业级DDR内存产品，它被广泛用于路由器、交换机、数字视频设备、工控机和医疗成像系统等领域。
制造商：Micron Technology
产品系列：MT47H
存储容量：2 Gb
存储配置：128M x 16
工作电压：2.3V ~ 2.7V
时钟频率：200 MHz
数据速率：400 Mbps（DDR）
访问时间：2.5 ns
封装类型：FBGA
引脚数：90
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
组织结构：4 banks x 16,384 rows x 16,384 columns
数据接口：SSTL_2
刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh
CAS 延迟：2, 3
封装尺寸：9mm x 13mm x 1mm
该芯片具备高密度存储与高速数据传输能力，采用先进的CMOS工艺制造，确保了低功耗与高可靠性。其核心优势之一是多Bank架构设计，支持交错式内存访问，显著提升整体带宽利用率。在读写操作过程中，通过双沿数据采样技术（即在时钟上升沿和下降沿均传输数据），实现了数据速率翻倍的效果，满足了对实时性要求较高的应用场景需求。
MT47H128M16RT-25E 支持多种省电模式，包括空闲模式、预充电待机模式、活动待机模式以及深度自刷新模式，可在系统不活跃期间大幅降低功耗，特别适用于需要长时间运行且电源受限的嵌入式系统。此外，其内置的温度补偿自刷新（TCSR）功能可根据芯片内部温度动态调整刷新速率，在保证数据完整性的同时进一步优化能耗表现。
该器件具有出色的信号完整性和抗干扰能力，输入输出接口采用SSTL_2（Stub Series Terminated Logic）标准，配合片外终端电阻（ODT）功能，有效减少反射和噪声，提高高频下的稳定性。同时，支持ZQ校准功能，能够定期对输出驱动阻抗和终端阻抗进行校正，确保长期运行中电气特性的精确匹配。
Micron为其提供了完整的技术支持文档，包括详细的数据手册、应用指南和可靠性测试报告，便于工程师进行PCB布局布线、时序分析和故障排查。该芯片还通过了多项工业级认证，具备较强的抗湿、抗振和耐温变化能力，适合部署于恶劣环境中。其卷带包装形式（TR）有利于SMT生产线高效作业，提升了大规模制造的良率与效率。
广泛应用于网络通信设备如千兆路由器、交换机、防火墙等需要高速缓存的场合；也可用于工业自动化控制系统、嵌入式主板、数字视频监控系统、医疗影像设备、POS终端及车载信息娱乐系统等对稳定性和环境适应性要求较高的领域。此外，因其良好的性价比和成熟的技术支持，常被用于各类中高端消费类电子产品和工业级计算平台中作为主内存或帧缓冲存储器使用。
MT47H128M16HR-25E:TR
MT47H128M16RT-25:H TR
IS42S16160D-25LB
