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IRFV260D 发布时间 时间:2025/8/6 18:16:51 查看 阅读:38

IRFV260D 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的 Trench沟道技术,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动以及各种高效率功率转换系统中。IRFV260D 采用 D2PAK 封装,便于安装散热片,适合高功率密度设计。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):600V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID)@25°C:28A
  连续漏极电流(ID)@100°C:18A
  导通电阻(RDS(on)):最大 0.175Ω(典型值 0.145Ω)
  功率耗散(PD):200W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:D2PAK(表面贴装)

特性

IRFV260D 的设计基于英飞凌先进的 Trench 沟道技术,显著降低了导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了能效。其低 RDS(on) 特性使得该器件在高负载电流下仍能保持较低的温升,增强了系统稳定性。此外,该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力,提升了在瞬态过压情况下的可靠性。
  该器件的 D2PAK 封装结构具备良好的热管理能力,有助于将热量快速传导至 PCB 或散热片,适用于需要高可靠性和长寿命的工业级应用。栅极驱动电压范围宽,支持标准逻辑电平(如 10V 或 12V)进行有效导通,便于与多种控制 IC 配合使用。
  IRFV260D 还具备快速开关特性,减少了开关损耗,适合高频应用。其内部结构优化,降低了寄生电容,提升了高频性能,适用于电源转换效率要求较高的应用,如服务器电源、通信电源、逆变器和太阳能逆变系统。

应用

IRFV260D 常用于高性能电源管理系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电机控制、功率因数校正(PFC)电路以及各种工业控制设备。由于其高耐压和高电流能力,也适用于光伏逆变器、UPS 系统和轻型电动车的功率控制模块。

替代型号

IRFV260M, IRFV260N, IRFP460LC, FDPF460

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