时间：2025/8/6 4:24:50
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IXTA26P20P-TRL 是由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的一款 P 沟道功率 MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计，具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等应用。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，以优化导通损耗和开关性能。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-200V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-26A
导通电阻（RDS(on)）：最大 65mΩ @ VGS = -10V
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252（D-Pak）
栅极电荷（Qg）：72nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1800pF（典型值）
IXTA26P20P-TRL 具备多项优良特性，适用于高功率密度和高可靠性要求的应用。
首先，该器件的漏源耐压为 -200V，能够满足中高功率电源系统的需求，提供足够的电压裕量以应对瞬态电压波动，从而提高系统的稳定性。
其次，其最大连续漏极电流为 -26A，能够支持较高负载电流的应用，如大功率 DC-DC 转换器和马达驱动器。其导通电阻 RDS(on) 最大为 65mΩ，典型值更低，这有助于降低导通损耗，提高转换效率。
该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）为 72nC，相对较低，意味着其开关速度较快，开关损耗较小，适合高频开关应用。此外，其输入电容（Ciss）为 1800pF，有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统的响应速度。
IXTA26P20P-TRL 采用 TO-252（D-Pak）封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。该封装也具备较好的散热能力，有助于提升器件在高功率工作下的可靠性。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于各种严苛环境条件下的工业、通信和汽车电子应用。
IXTA26P20P-TRL 广泛应用于多种功率电子系统中。例如，在电源管理系统中，它可用于高侧负载开关、电池管理系统中的充放电控制开关等，提供高可靠性和高效能的解决方案。
在 DC-DC 转换器中，该器件可作为同步整流器或高侧开关，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升整体转换效率，特别是在高频率工作条件下表现优异。
此外，IXTA26P20P-TRL 也适用于马达驱动、电源冗余电路、UPS 系统、电信设备和服务器电源等高可靠性应用场景。由于其具备较高的电压和电流能力，以及良好的热管理性能，因此特别适合用于需要紧凑设计和高效能的电源模块中。
在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）、车载 DC-DC 转换器等，其宽工作温度范围确保其在恶劣环境下仍能稳定工作。
IXTA26P20P, IXTA26P20P-TR, IXP26P20P, FDP26P20, FDS26P20
