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MT46V64M8BN-75:D TR 发布时间 时间:2025/10/21 15:44:07 查看 阅读:10

MT46V64M8BN-75:D TR是美光科技(Micron Technology)生产的一款同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。该器件属于高性能、低功耗的CMOS SDRAM产品系列,广泛应用于嵌入式系统、网络设备、消费类电子产品和工业控制等领域。这款芯片采用8M x 8 x 8结构,总容量为512 Megabits(64 Megabytes),组织方式为8M单元×8位,适合需要中等容量内存且对成本敏感的应用场景。其工作电压为3.3V ± 0.3V,符合标准的LVTTL接口电平要求,能够与多种处理器和控制器无缝对接。该型号后缀中的'-75'表示其访问速度为7.5纳秒(即时钟频率可达约133MHz),满足PC133 SDRAM标准,支持突发模式读写操作,并具备自动刷新和自刷新功能以降低功耗。封装形式为54-ball FBGA(细间距球栅阵列),具有良好的电气性能和散热特性,适用于高密度印刷电路板布局。MT46V64M8BN-75:D TR在制造工艺上采用了先进的深亚微米技术,确保了高可靠性和长期供货能力,常用于路由器、交换机、机顶盒、打印机以及医疗设备等对稳定性要求较高的场合。此外,该器件支持商业级温度范围(0°C 至 +70°C),适合大多数室内环境下的应用。作为一款成熟的SDRAM产品,MT46V64M8BN-75:D TR在市场上拥有广泛的兼容性和技术支持资源。

参数

型号:MT46V64M8BN-75:D TR
  制造商:Micron Technology
  产品类型:SDRAM
  存储容量:512 Mbit (64 MB)
  组织结构:8M x 8
  工作电压:3.3V ± 0.3V
  数据速率:133 MHz
  访问时间:7.5 ns
  封装类型:54-ball FBGA
  温度范围:0°C ~ +70°C (商业级)
  I/O 接口:LVTTL
  刷新模式:自动刷新 / 自刷新
  时钟频率:支持 PC133 标准
  供电电流:典型值 300mA(运行模式)
  待机电流:典型值 50mA
  引脚数量:54
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

MT46V64M8BN-75:D TR具备多项关键特性,使其成为众多中端嵌入式系统设计中的理想选择。首先,它基于双倍数据速率架构之前的单倍数据速率(SDR)SDRAM技术,能够在每个时钟周期传输一次数据,配合133MHz的时钟频率实现高效的数据吞吐能力。其内部存储结构划分为四个独立的Banks,允许交叉访问不同Bank中的数据,从而显著提升整体带宽利用率并减少等待时间。这种多Bank架构还支持页面突发访问模式,在连续读写操作中可大幅提高效率。
  其次,该芯片集成了完整的控制逻辑,支持标准命令集,包括读、写、预充电、刷新、模式寄存器设置等操作,所有命令均通过地址和控制信号同步触发,确保与时钟信号严格对齐。这使得系统设计者可以方便地将其集成到各种微处理器或FPGA平台中,无需额外复杂的时序补偿电路。
  再者,MT46V64M8BN-75:D TR支持两种刷新模式:自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)。自动刷新由外部控制器定期发起,适用于正常工作状态;而自刷新则可在系统进入低功耗待机模式时启用,由芯片内部自行管理刷新过程,有效降低整体系统功耗,延长电池供电设备的工作时间。
  此外,该器件具有良好的抗干扰能力和稳定的信号完整性,得益于其优化的FBGA封装设计,减少了寄生电感和电容效应,提升了高频工作的可靠性。同时,美光为其提供了长期的产品生命周期支持,保证工业和通信客户可以获得持续稳定的供应链保障。最后,该芯片通过了严格的JEDEC标准认证,确保与其他符合PC133规范的组件具备良好的互操作性。

应用

MT46V64M8BN-75:D TR因其稳定性和兼容性被广泛应用于多个领域。在通信设备方面,常用于宽带路由器、DSL调制解调器、企业级交换机和无线接入点等产品中,作为主控处理器的外部缓存或程序数据存储单元,支撑实时数据包处理和操作系统运行。
  在消费电子领域,该芯片常见于数字电视机顶盒、DVD播放机、智能显示器和多媒体终端中,用于存储视频解码缓冲区、图形界面数据及应用程序临时信息。由于其支持突发传输模式,特别适合处理流媒体等需要高带宽连续访问的场景。
  工业控制与自动化系统也大量采用该型号,如PLC控制器、HMI人机界面、工业网关和远程I/O模块等,利用其可靠的读写性能和长时间稳定运行能力来保障现场设备的数据采集与控制精度。
  此外,在办公设备如激光打印机、多功能一体机和POS终端中,MT46V64M8BN-75:D TR用于图像渲染缓冲、文档队列管理和固件执行空间,提升设备响应速度和用户体验。
  医疗设备如便携式监护仪、超声成像前端模块和实验室分析仪器也会选用此类经过验证的工业级元器件,确保在关键任务环境下数据不丢失、系统不宕机。总体而言,该芯片适用于任何需要中等容量、低成本、高可靠性的动态内存解决方案的设计场景。

替代型号

MT46V64M8BG-75:B TR
  IS42S16100D-7BLI
  IS42S81600D-7BLI
  W9812G6JH-75

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MT46V64M8BN-75:D TR参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型DDR SDRAM
  • 存储容量512M(64M x 8)
  • 速度7.5ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.3 V ~ 2.7 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商设备封装60-FBGA(10x12.5)
  • 包装带卷 (TR)