NSSW006T 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及同步整流等场景。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id):60A
最大漏-源电压 (Vds):60V
最大栅-源电压 (Vgs):±20V
导通电阻 (Rds(on)):@4.5V @10V
最大功率耗散 (Pd):100W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-252(DPAK)
NSSW006T 具备多项优良的电气特性,使其在多种功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))在典型工作条件下可低至几毫欧级别,显著减少了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。此外,该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,从而实现高频操作。该MOSFET具有较高的电流承载能力和热稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定运行,适应苛刻的工作环境。
在封装方面,NSSW006T采用TO-252(DPAK)封装,具备良好的热管理和机械稳定性,便于在PCB上安装和散热。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,广泛适用于工业自动化、汽车电子和消费类电源设备。
其栅极驱动电压范围宽广,支持常见的4.5V至10V驱动电压,适用于多种栅极驱动IC的搭配使用,增强了设计灵活性。同时,器件具备出色的雪崩能量耐受能力,能够在异常工况下提供更高的可靠性。
NSSW006T 主要应用于各类功率转换系统中,如DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电池管理系统(BMS)、电源负载开关、电机驱动电路以及电源管理模块。由于其低导通电阻和高效率特性,常被用于要求高能效和紧凑设计的电源供应器和嵌入式系统中。此外,该MOSFET也适用于新能源汽车的功率控制单元、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的电源模块。
IRFZ44N, FDP6030L, SiS442DN, IPB06N04LA