制造商：Micron Technology
　　系列：DDR3L
　　存储类型：易失性
　　存储格式：DRAM
　　存储容量：4 Gb
　　存储配置：512M x 8
　　封装/外壳：96-TFBGA
　　并行接口：x8
　　供电电压：1.35V ~ 1.5V
　　访问时间：15 ns
　　时钟频率：667 MHz
　　数据速率：1333 MT/s
　　工作温度：-40°C ~ 95°C
　　安装类型：表面贴装型
　　刷新周期：64ms / 8192 rows
　　最小保持时间：10 ns
　　输入电容：最大5 pF
　　输出负载：TTL
　　JEDEC 标准：JESD79-3
　　

MT41K512M8THD-15E:D具备多项先进特性，确保其在复杂多变的应用环境中表现出色。首先，该芯片支持DDR3L低电压运行模式，在1.35V供电下即可实现高达1333 MT/s的数据传输速率，相比传统的1.5V DDR3内存显著降低了功耗，特别适用于对能效敏感的移动设备和嵌入式系统。其内部架构采用8个Bank设计，支持并发操作，提高了数据吞吐效率，并通过burst chopper mode和additive latency功能优化了突发读写性能。该器件支持多种省电模式，包括预充电电源关闭（Precharge Power-down）、激活电源关闭（Active Power-down）以及温度补偿自刷新（TCSR），可根据环境温度动态调整刷新率，进一步减少功耗。此外，它还具备部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh, PASR）功能，允许仅对使用的内存区域进行刷新，节省不必要的能耗。
　　在信号完整性和稳定性方面，MT41K512M8THD-15E:D集成了片上终端（On-Die Termination, ODT），可在读写过程中动态启用内部匹配电阻，减少信号反射和噪声干扰，提升高速信号传输的可靠性。该芯片还支持写入水平化（Write Leveling）和动态ODT控制，增强了系统时序裕量，便于在高密度PCB布局中实现稳定的信号完整性。器件符合JEDEC JESD79-3标准，确保与其他DDR3L兼容控制器的互操作性。其工作温度范围覆盖-40°C至+95°C，满足工业级应用的严苛环境要求，具备良好的抗振动、抗湿热和长期稳定性表现。此外，该产品采用无铅、无卤素的环保封装材料，符合RoHS和Green Package标准，支持现代电子产品绿色环保的设计趋势。

MT41K512M8THD-15E:D广泛应用于各类需要中等容量、高性能且低功耗内存解决方案的电子系统中。在通信领域，它常被用于路由器、交换机、基站单元等网络设备中，作为主内存或缓存单元，支持高速数据包处理和流量管理。在工业自动化和控制系统中，该芯片适用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、工业计算机等设备，提供可靠的数据存储支持。消费类电子产品如智能电视、机顶盒、数字视频录像机（DVR）也广泛采用此型号以提升系统响应速度和多任务处理能力。此外，在固态硬盘（SSD）和存储模块中，MT41K512M8THD-15E:D常被用作DRAM缓存，用于存储FTL（闪存转换层）映射表，加快读写响应时间，提高整体I/O性能。汽车电子系统中的信息娱乐主机、高级驾驶辅助系统（ADAS）模块也逐渐采用此类工业级温度范围的DDR3L芯片，以确保在高温环境下仍能稳定运行。由于其小尺寸TFBGA封装，该器件也非常适合空间受限的便携式医疗设备、手持终端和物联网网关等应用场景。凭借其高可靠性、低功耗和广泛的兼容性，MT41K512M8THD-15E:D成为众多嵌入式设计中的理想选择。

MT41K512M8RH-15E:E
　　MT41K512M8THD-125:A
　　EM68A160TS-6GQ